热分解化学气相淀积二氧化硅是利用()化合物,经过热分解反应,在基片表面淀积二氧化硅。
第3题
pn结的击穿电压和反向漏电流既是晶体管的重要直流参数,也是评价()的重要标志。
A.扩散层质量
B.设计
C.光刻
第8题
金属封装主要采用金属和玻璃密封工艺,金属作封装底盘、管帽和引线,()做绝缘和密封。
A.塑料
B.玻璃
C.金属
第10题
位错的形成原因是()。
A.位错就是由弹性形变造成的
B.位错就是由重力造成的
C.位错就是由范性形变造成的
D.以上答案都不对
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