单晶硅太阳电池的转化效率在硅晶太阳电池中最高。（)

制约单晶硅太阳电池光电转换效率进一步提高的主要技术障碍有()。

A、内部复合损失

B、表面复合损失

C、电池表面栅线遮光影响

D、光传导损失

E、电池表面光反射损失

与其他太阳电池相比，制造单晶硅太阳电池()。

A、结晶中缺陷较小

B、制造技术比较成熟

C、所用硅材料比较丰富

D、转换效率较高

非晶硅的禁带宽度比单晶硅大，这样制成的非晶硅太阳电池的()相对较高。

A、转换效率

B、短路电流

C、填充因子

D、开路电压

太阳电池组件具有的主要特点有()。

A、满足不同电压输出要求

B、提高利用效率

C、有足够的机械强度

D、有明显的电性能增益

常用的半导体材料的特性参数有()。

A、位错密度

B、电阻率

C、非平衡载流子寿命

D、禁带宽度

E、载流子迁移率

砷化镓GaAs太阳电池的优点主要有()。

A、吸收系数小

B、禁带宽度大

C、耐辐射性能好

D、可以做得很薄

砷化镓GaAs太阳电池的缺点主要有()。

A、比较脆，易损坏

B、不利于在空间应用

C、耐辐射性能差

D、单晶晶片价格比较昂贵

薄膜太阳电池得到迅速发展的原因主要有()。

A、转换效率提高空间大

B、成本优势

C、利用范围更加广泛

D、对环境危害小

可做太阳电池材料的材料有()。

A、薄膜电池材料

B、硅晶材料

C、其他类型太阳电池材料

D、GaAs半导体材料

有“第三代太阳电池”之称的是()太阳电池。

A、铜铟硒化物(CIS/CIGS)薄膜

B、非晶硅a-Si薄膜

C、染料敏化纳米晶(DSSC)

D、碲化镉CdTe薄膜