太阳电池组件具有的主要特点有()。

常用的半导体材料的特性参数有()。

A、位错密度

B、电阻率

C、非平衡载流子寿命

D、禁带宽度

E、载流子迁移率

砷化镓GaAs太阳电池的优点主要有()。

A、吸收系数小

B、禁带宽度大

C、耐辐射性能好

D、可以做得很薄

砷化镓GaAs太阳电池的缺点主要有()。

A、比较脆，易损坏

B、不利于在空间应用

C、耐辐射性能差

D、单晶晶片价格比较昂贵

薄膜太阳电池得到迅速发展的原因主要有()。

A、转换效率提高空间大

B、成本优势

C、利用范围更加广泛

D、对环境危害小

可做太阳电池材料的材料有()。

A、薄膜电池材料

B、硅晶材料

C、其他类型太阳电池材料

D、GaAs半导体材料

有“第三代太阳电池”之称的是()太阳电池。

A、铜铟硒化物(CIS/CIGS)薄膜

B、非晶硅a-Si薄膜

C、染料敏化纳米晶(DSSC)

D、碲化镉CdTe薄膜

近年来，一些新型高效电池不断问世，主要包括()。

A、大面积光伏纳米电池

B、硒化铜铟(CuInSe\-2,CIS)薄膜太阳电池

C、用化学束外延(CBE)技术生产的多结Ⅲ-Ⅴ族化合物太阳电池

D、硅-硅串联结构太阳电池

硅晶太阳电池存在着固有弱点主要有()。

A、相对成本较高

B、尺寸相对较小

C、光吸收系数远远低于其他太阳光电材料

D、光电转换理论效率相对较低

硅晶材料包括()。

A、带状多晶硅

B、高纯多晶硅

C、铸造多晶硅

D、直拉单晶硅

对于太阳电池来说，为了得到高的转换效率，要求材料有大的()和适中的()。

A、电阻率

B、载流子迁移率

C、非平衡载流子寿命

D、位错密度

E、禁带宽度