当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为前者反偏、后者也反偏()
第1题
若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零,则其输入电阻会明显变小。 ()
第2题
射随器适合做多级放大电路的中间隔离级,是因为射随器的()
A、输入电阻高
B、输出电阻低
C、输入电阻高,输出电阻低
第3题
为了增大输出电阻,应在放大电路中引入();为了展宽频带,应在放大电路中引入()。
A、电流负反馈
B、电压负反馈
C、直流负反馈
D、交流负反馈
第4题
差分放大电路中,当Vs1=300mV, Vsd2=-200mV时,分解为共模输入信号Vsc=()mV,差模输入信号 Vsd=()mV,差模信号Vsd1=()mV。
A、500
B、100
C、250
D、50
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