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一维晶体的电子能带可写为式中a为晶格常数，试求

(1)布里渊区边界:

(2)能带宽度;

(3)电子在波矢k状态时的速度;

(4)能带底部电子的有效质量m_n⁺;

(5)能带顶部空穴的有效质量m_p⁺;

已知一维晶格中电子的能带可写成

式中a是晶格常数，m是电子的质量，

求（1）能带宽度，

（2）电子的平均速度，

（3）在带顶和带底的电子的有效质量．

设有一维晶体电子能带方程： E()=,其中m是电子质量，是晶格常数，求： 1）能带宽度； 2）电子在波什状态速度； 3）能带底部和能带顶部的有效质量

A．

B．

C．

D．

A．

B．

C．

D．

某一维品格的电子能带可写为a为一维晶格的晶格常数。试计算第一布里渊区的能带宽度和电子的速度。

晶格常数为0.25nm的一维晶格，当外加10²V/m和10⁷V/m电场时，试分别计算电子自能带底运动到能带顶所需时间。