设有一维晶体电子能带方程: E()=,其中m是电子质量,是晶格常数,求: 1)能带宽度; 2)电子在波什状态速度; 3)能带底部和能带顶部的有效质量
第2题
设有向图 G=(V,E),顶点集,边集。若从顶点开始对图进行深度优先遍历,则可能得到的不同遍历序列个数是( ) 。
A、2
B、3
C、4
D、5
第3题
设,其中是由方程所确定的隐函数,,求=( )。
A、5
B、-5
C、1
D、-1
E、0
F、2
G、-2
H、3
I、-3
J、4
第5题
微分方程的通解为( ).
A、(为任意常数)
B、(为任意常数)
C、(为任意常数)
D、(为任意常数)
E、(为任意常数)
第9题
已知,则方程组的解是( ) A.,; B.,; C.,; D.,
A、,
B、,
C、,
D、,
E、,
F、,
第10题
部分文献中将E-MOSFET的转移电流方程描述为,其中K为跨导系数 该式与课件中E-MOSFET转移特性方程的关系是什么?
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