[主观题]
下面是直拉法生产单晶硅工艺流程图正确顺序的是（）。
A. 种晶—放肩—等径—引晶
B. B.引晶—放肩—等径—种晶
C. C.种晶—引晶—放肩—等径
D. D.引晶—种晶—放肩—等径
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[单选题]
直拉法生长单晶硅拉晶过程有哪几个主要阶段？（）①籽晶熔接②引晶和缩颈③等径生长④收晶
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[多选题]
直拉单晶硅的制备工艺一般包括（)。A、晶硅的装料和熔化B、种晶C、引细颈、放肩、等径D、收尾
A.晶硅的装料和熔化
B.种晶
C.引细颈、放肩、等径
D.收尾
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[主观题]
稳温、引晶应遵循高温（），低温引晶原则。
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[单选题]
引晶时的直径要求为（）mm。
A.3.5-4.5
B.4.5-5.5
C.5.5-6.5
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[主观题]
引晶时籽晶发黑的原因有（）、（）。
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[单选题]
关于晶体表面、晶界、亚晶界描述正确的是（）
A.非同类型晶体缺陷
B.晶界是晶粒之间有界面，亚晶界是晶块之间的界面
C.晶界和亚晶界均属小角度晶界
D.晶体表面的结构与内部完全一致
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[单选题]
相邻晶粒的位向差小于10°的晶界是 晶界（）
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[主观题]
结晶操作的起晶方法有()
结晶操作的起晶方法有（)
A.结晶起晶法
B.自然起晶法
C.二次起晶法
D.混合起晶法
E.晶种起晶法
