薄膜材料制造试题及答案解析

来源：彭素环 2022-05-13 10:33:24

“ 薄膜材料制造全真模拟试题及答案解析 ”

[判断]

薄膜最早期的应用只局限于抗腐蚀和制造镜面（）

是否

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[多选]

主要半导体制造工艺的工序有（)。

A .薄膜生长B .刻蚀C .光刻D .离子注入

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[判断]

在薄膜加热试验中，蒸发“损失”试验计算结果只有正值，没有负数（）

是否

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[主观]

沥青的蒸发损失试验和薄膜加热试验除盛样容器不同外，其他试验条件完全相同。（)A．正确B．错误
沥青的蒸发损失试验和薄膜加热试验除盛样容器不同外，其他试验条件完全相同。 ()
A．正确
B．错误

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[多选]

集成电路按照制造工艺可分为（)。

A .半导体集成电路B .薄膜集成电路C .数字集成电路D .厚膜集成电路

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[单选]

制造半导体器件薄膜化学气相沉积装置

A .8486.3021B .8486.2029C .8486.2021D .8486.3029

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[单选]

用薄膜加热试验测定沥青加热前后性质的变化，反映沥青的（）性质。

A .高温稳定性B . 抗裂性C . 水稳性D . 抗老化性

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[单选]

机采用收缩薄膜包裹在产品或包装件外面，经过加热，使收缩薄膜收缩裹紧产品或包装件（）

A .裹膜包装B .捆扎包装C .封口包装D .打包

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[单选]

对熔点低、熔融后不分解的物质，可用（）法制样

A .薄膜B . 糊状C . 压片D . 加热

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[单选]

在多晶硅薄膜制造装置中也可使用RTP，将得到的灯光用____聚光，然后缓慢地移动位置，使多晶硅薄膜再结晶化。

A .凸透镜B .凹透镜C .聚光镜D .平光镜

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[主观]

试述采用薄膜烘箱加热试验测定沥青老化性能的试验步骤。

请帮忙给出正确答案和分析，谢谢！

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[主观]

制造半导体元件时，常需要精确地测定硅片上的二氧化硅（SiO2)薄膜的厚度，这时可把二氧化硅薄膜的一
制造半导体元件时，常需要精确地测定硅片上的二氧化硅(SiO2)薄膜的厚度，这时可把二氧化硅薄膜的一部分腐蚀掉，使它成为劈尖，利用等厚干涉条纹测出其厚度．已知Si的折射率为3．42，SiO2的折射率为1．5．用氦氖激光(λ=632．8nm)垂直照射，在反射光中观察到在腐蚀区域内有8条暗纹，求SiO2薄膜的厚度．

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[单选]

分层实体制造（LOM）工艺是采用激光束加工（）材料，逐层叠加成型。

A .粉末B .液态C .薄膜D .丝状

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[主观]

制造半导体元件时,常需要精确地测定硅片上的二氧化硅（SiO2)薄膜的厚度,这时可把二氧化硅薄膜
制造半导体元件时,常需要精确地测定硅片上的二氧化硅(SiO2)薄膜的厚度,这时可把二氧化硅薄膜的一部分腐蚀掉,使它成为劈尖,利用等厚;干涉条纹测出其厚度，已知的Si的折射率为3.42 , Si02的折射率为1.5.用氦氖激光(=632.8nm)垂直照射,在反射光中观察到在腐蚀区域内有8条暗纹,求Si02薄膜的厚度.

请帮忙给出正确答案和分析，谢谢！