电容的引线越长，则()越大，电容的谐振频率也就越低()。

A.Q越大，谐振时电感上的电压越大。

B.Q越大，谐振时电容上的电压越小。

C.Q越大，谐振时，储存能量与每个周期内损失的能量比值越小。

D.Q越大，谐振时电路的选频特性越好。

A.Q越大，谐振时电感上的电压越大。

B.Q越大，谐振时电容上的电压越小。

C.Q越大，谐振时，储存能量与每个周期内损失的能量比值越小。

D.Q越大，谐振时电路的选频特性越好。

A.Q越大，谐振时电感上的电压越大。

B.Q越大，谐振时电容上的电压越小。

C.Q越大，谐振时，储存能量与每个周期内损失的能量比值越小。

D.Q越大，谐振时电路的选频特性越好。

A.Q越大，谐振时电感上的电压越大。

B.Q越大，谐振时电容上的电压越小。

C.Q越大，谐振时，储存能量与每个周期内损失的能量比值越小。

D.Q越大，谐振时电路的选频特性越好。

A.1的电容越大，则充电达到单晶体管击穿电压的时间越长，继电器延迟吸起时间越长

B.反之电容C1的容量越小。那么延时也就越短

C.1的电容越大，则充电达到单晶体管击穿电压的时间越短，继电器延迟吸起时间越长

D.反之电容C1的容量越小。那么延时也就越长

A.断路器灭弧性能有关（空载电流截断值I0）,一般说来，灭弧能力越强的断路器，其对应的切空变过电压最大值也越大

B.变压器的参数（L-大，储能多）

C.与变压器引线电容大小有关（C） ,C小，则过电压越高

D.与变压器引线电容大小有关（C） ,C大，则过电压越高

A.τ是R和C的乘积，与电路的初始状态及电源无关

B. 电容C越大，电阻R越大，则充、放电电流越大，充、放电时间变短

C. R和C越大，则τ越大，过渡过程越长

D. 电容C和电阻R的大小与充电过程无关

E. 改变电路的R，C参数，就能改变电容充、放电的快慢

A.是R和C的乘积，与电路的初始状态及电源无关

B.电容C越大，电阻R越大，则充、放电电流越大，充、放电时间变短

C.R和C越大，则越大，过渡过程越长

D.电容C和电阻R的大小与充电过程无关

E.改变电路的R，C参数，就能改变电容充、放电的快慢

A．tau;是R和C的乘积，与电路的初始状态及电源无关

B．电容C越大，电阻R越大，则充、放电电流越大，充、放电时间变短

C．R和C越大，则τ越大，过渡过程越长

D．电容C和电阻R的大小与充电过程无关

E．改变电路的R，C参数，就能改变电容充、放电的快慢

A.Q值越大，通频带越宽

B.端电压是电容两端电压的Q倍

C.电路的电抗为零，则感抗和容抗也为零

D.总阻抗最小，总电流最大