A.产生在兴奋性突触处
B.在中枢神经系统内广泛存在
C.突触前膜动作电位幅度变小
D.突触前膜抑制性递质释放量减少
第1题
A.突触前膜超极化
B.突触后膜超极化
C.突触前膜去极化
D.突触前膜释放抑制性递质
第2题
B.潜伏期延长,持续时间长
C.突触前轴突末梢释放抑制性递质
D.突触后膜的兴奋性降低
E.通过轴突-树突突触结构的活动来实现
第3题
A.由抑制性突触活动所引起
B.突触前膜释放抑制性递质
C.突触后膜发生超极化
D.突触后膜发生去极化
E.突触后膜产生抑制性突触后电位
第4题
A.通过抑制性中间神经元实现
B.突触后膜呈超极化
C.回返性抑制属突触后抑制
D.结构基础是轴轴胞串联突触
E.突触前膜呈超极化
第5题
A.突触前轴突末梢去极化
B.突触前轴突末梢超极化
C.突触前轴突末梢处于有效不应期
D.突触前轴突末梢释放抑制性递质
第6题
A.到达突触前末梢的动作电位频率高
B.结构基础与突触前抑制完全不同
C.有多个兴奋同时到达突触前末梢
D.进入突触前末梢内的Ca2+增多
第7题
A.使脑内5-HT缺乏
B.使脑内儿茶酚胺耗竭
C.抑制突触前膜NA释放
D.抑制突触前膜NA和5-HT再摄取
E.使脑内单胺类递质减少
第8题
A.突触前膜
B.突触 后膜
C.突触间隙
第9题
A.突触前膜对Ca2+通透性增大
B.突触前膜去极化
C.神经递质释放至突触间隙
D.神经递质与突触后膜上相应的受体结合
第10题
B.突触后膜
C.突触中膜
D.突触间隙
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