A.金属电迁移
B.金属尖刺现象
C.芯片产生超过1A的峰值电流
D.栅氧化层击穿
E.吸引带电颗粒或极化并吸引中性颗粒到硅片表面
第1题
A.直接接地箱地线被人为切断
B.金属护层金属性接地
C.接地系统接线错误
D.金属护层保护器击穿
第2题
A.吸引
B.排斥
C.没有变化
第3题
A.金属护层环流过大
B.金属护层及主绝缘发热击穿
C.金属护层感应电压增高
D.电能损耗
第4题
A.金属护套环流为零
B.外护层可能大面积多点击穿
C.金属护套感应电压极高
D.金属护套环流接近于负荷电流
第5题
第6题
第7题
A.较大的电阻
B.不断地腐蚀溶解所产生的电流
C.较小的电阻
D.不断地腐蚀溶解所产生超过最大保护电位的电压
第8题
第9题
A、0.05
B、0.1
C、0.15
D、0.2
第10题
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