第1题
波长1300nm的InGaAsP行波半导体光放大器(SOA)具有以下参数:
求偏置电流为100mA及200n1A时,SOA的小信号增益系数gmode0和小信号增益(以dB表示)。
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第2题
CO2TEA无损放大器的尺寸为10cm×10cm×100cm。对波长为10.6μm的光的小信号增益系数是g0=4×10-2cm-1,输入光脉冲宽度为200ns,大大短于下能级的衰减时间。与输入光频率相应的发射截面σ21=1.54×10-18cm2。上、下能级的统计权重相等。计算输入能量为17J时的输出脉冲的能量及相应的能量增益,并计算储能及储能利用率。
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第3题
Nd:YAG无损光放大器,输入的光脉冲能量仍为E(0)=100mJ,但光脉冲的宽度τp大大小于激光跃迁下能级的寿命(τ1≈100ps)。Nd:YAG的激光跃迁上、下能级统计权重之比f2/f1=0.4675。计算放大器的输出能量、相应的能量增盖和储能利用率。
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第4题
调Q Nd:YAG激光器的脉冲输出光(能量E(0)=100mJ,脉宽τp=20ns),被一个直径为6.3mm的Nd:YAG无损放大器放大。放大器的小信号增益G0=100,假设:(a)光脉冲频率所对应的发射截面σ21=2.8×10-19cm2;(b)激光跃迁下能级的寿命τ1<<τp;(c)激光束光强在工作物质横截面上均匀分布。 (1)求放大器的输出能量及相应的能量增益; (2)求被注入光脉冲从放大器中提取的能量占放大器储能的百分比。
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