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[判断题]

晶体管的ICBO越小则温度性能越好。 ()此题为判断题(对,错)。

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第1题

二极管或晶体三极管被击穿后,则管子就坏了。 ( )

此题为判断题(对,错)。

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第2题

肖特基二极管与普通二极管相比可以在更高的频率下工作。 ( )

此题为判断题(对,错)。

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第3题

当R=4.7kΩ时再计算流过电阻R的电流和管压降VDS的值。

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第4题

计算流过电阻R的电流和管压降VDS的值。

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第5题

该MOS管的沟道性质和类型是什么?

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第6题

计算如图1.5.4所示电路的静态工作点ICQ、VCEO的值,并计算工作点上微变等效电路参数rπ、rce和gm值。

已知晶体管为硅管,β=60,厄尔利电压为一100V。

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第7题

用MOSFET组成如图1.4.15所示的分压器电路。已知FET的工艺参数k=0.05mA/V2,VTH=3V。若输入信号V1=10

0mV时,要求输出电压Vo=60mV,问此时应给FET加多大的栅极电压VG?

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第8题

在图1.4.14(a)所示的电路中,已知场效应管的饱和电流IDSS为2mA,夹断电压VP为一2V,沟道长度调制电

压VA=一100V。试画出场效应管的交流小信号等效电路并求电路参数gm和rds.

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第9题

在图1.4.13所示的电路中,试判断场效应管分别工作在哪个工作区(饱和区、截止区、变电阻区或恒流状态

)?

(a)IDSS=3mA,VP=一5V; (b)VTH=3V; (c)IDSS=6mA,VP=-4 V; (d)IDSS=一2mA,VP=一2 V。

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第10题

已知FET的特性曲线如图1.4.12所示,试判断它是哪一类场效应管?开启电压VTH或夹断电压VP约为多少?

饱和电流IDSS约为多少?

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