已知某晶体管功率放大器，工作频率=100 MHz，RL=50Ω，Po=1 w，VCC=12 V，饱和压降VCE（sat)=0．5 V，Cbc（

通角θc，计算出IC0、Icm1、Vcm、Pc、ηc及Rp。

≥13 dB，允许通过的最大集电极电流ICM=3 A，容许的最大集电极耗散功率PCM=5 W。VBZ=0．6 V，负偏压-VBB=-1．4 V，θc=70°，VCC=24 V，ξ=0．9。试求输出功率、集电极效率与基极激励功率。

，VBZ=0．6 V，θc=70°，VCC=24 V，ξ=0．9。中介回路的Q0=100，QL=10。试计算集电极输出功率Po与天线功率PA。

在图5．2．13所示的电路中，测得P==10 w，Pc=3 W，中介回路损耗功率Pk=1 w。试求：

1)天线回路功率PA； 2)中介回路效率ηk； 3)晶体管效率和整个放大器的效率。

r=0．8 A／V，用它做成2 MHz的谐振功率放大器，选定VCC=24 V，θc=70°，iCmax=2．2 A，并工作于临界状态。试计算Rp、Po、Pc、ηc与P=。

如何变化?