若二极管D的伏安特性可用图4．5．10（b)中的折线来近似，输入电压为 v=Vmcosω0t 试求图（a)中电

sω0t R1为线性电阻元件；V0为直流电压。 试画出电流i(t)的波形。 [这里，i(t)指交流成分与直流成分之和。]

更大些?为什么?(假设Im1=Im2)

z，中频频率fi=1．5 MHz，中频负载电导GL=1 mS。在工作频率时的输入电导gic=430μS，输出电导goc=10μS。试求变频跨导gc、变频电压增益Avc和变频功率增益Apc。

哪个频率上对镜像干扰抑制能力最差，为什么，在哪个频率上中频干扰抑制能力最差，为什么?

增益。已知：IE=0．08 mA，fs=5 MHz，fi=465 kHz，负载阻抗RL=10 kΩ。晶体管的参数如下：rbb≤45 Ω，fT≥80 MHz，β0=30，Cbc≤3 pF，gce=10μS。

在图4．5．14中，忽略负载作用，并设二极管D1、D2、D3、D4的端电压分别为v1、v2、v3、v4，且v1=v0+vs，v2=v0-vs，v3=-v0+vs，v4=-v0-vs。每个管子的特性都用级数i=a0+a1v+a2v2+a3v3+a4v4+…表示。试证明：此混频器的总输出电流为

流电压。 应如何选取V0和Vm，才能使该非线性元件更能近似地当成线性元件来处理?试从物理意义上加以说明。

将v展开成为泰勒级数，然后比较两种情况下各项系数的大小。]