晶体管高频小信号放大器为什么一般都采用共发射极电路？

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0=100，L的匝数N=20，接入系数p1=p2=0．3。晶体管T1的主要参数为：fT≥250 MHz，rbb=70 Ω，Cbc≈3 pF，yie=(0．15+j1．45)mS，yoe=(0．082+j0．73)mS，yfe=(38-j4．2)mS。静态工作点电流由R1、R2、R3决定，现IE=1 mA，对应的β0=50。求： 1)单级电压增益Av0； 2)单级通频带2△f0.7； 3)四级总电压增益(Av0)4； 4)四级总通频带(2△f0.7)4； 5)如四级通频带(2△f0.7)4保持和单级时的通频带2△f0.7相同，则此时单级的通频带应加宽多少?四级的总增益下降多少?

L1～3=4μH，Q0=100，其抽头为N2～3=5匝，N1～3=20匝，N4～3=5匝。试计算放大器的下列各值：电压增益、功率增益、通频带、回路插入损耗和稳定系数S(设放大器和前级匹配gs=gie)。晶体管在VCE=8 V，IE=2 mA时参数如下： gie=2 860μS； Cie=18 pF goe=200μS； Coe=7 pF ｜Yfe｜=45 mS； ψfe=-54° ｜Yre｜=0．31 mS；ψre=-88．5°

发电路的Y参数。

z；中频放大器增益大于60 dB；通频带为30 kHz；矩形系数Kr0.1＜1．9；放大器工作稳定；回路电容选用500 pF，回路线圈品质因数Q0=80。已知晶体管在IE=1 mA、f=1．5 MHz时，参数如下：

另外，中放前的变频器也采用双调谐回路做负载。

pF；输出端到地之间的抽头p=0．5；线圈电感Q0=50。场效应管采用3DJF，其gfs=3 000 μS，Cds＜8 pF，Cgd＜3 pF，Cds＜5 pF。求：单级电压增益；回路通频带2△f0.7；稳定电压增益。

3．4)mS； yre=(0．08-j0．3)mS yfe=(26．4-j36．4)mS； yoe=(0．2+j1．3)mS 求此放大器的稳定电压增益(Av0)S，要求稳定系数S≥5。