A.组织准备
B.技术准备
C.物资准备
D.动、拆迁工作
E.现场准备
第3题
A.缓冲电路;零电压;零电流
B.缓冲电路;零电流;零电压
C.谐振电路;零电压;零电流
D.谐振电路;零电流;零电压
第6题
A.MOSFET不存在少子储存效应,开通关断过程非常迅速。
B.MOSFET是场控器件,静态时几乎不需输入电流,开通关断过程时间长。
C.MOSFET是场控器件,静态时需输入大电流,开通关断过程时间长。
D.MOSFET是场控器件,静态时栅极需输入大电流,开通关断过程非常迅速。
第7题
A.di/dt抑制电路又称为关断缓冲电路,用于吸收器件的关断过电压和换相过电压。
B.du/dt抑制电路又称为关断缓冲电路,用于吸收器件的关断过电压和换相过电压,抑制du/dt,减小关断损耗。
C.关断缓冲电路用于抑制器件的电流过冲和di/dt。
D.du/dt抑制电路又称为关断缓冲电路,用于吸收器件的关断过电压和换相过电压,抑制du/dt,减小器件的开通损耗。
第8题
A.导通时器件两端管压降较大
B.开通与关断过程需要较长时间才能完成
C.关断时其反向漏电流较大
D.导通时其管压降约等于零
第9题
A.关断时其反向漏电流较大
B.导通时其管压降约等于零
C.导通时器件两端管压降较大
D.开通与关断过程需要较长时间才能完成
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