如图所示，设Vmp和Imp分别为pn结太阳能电池最大输出功率时的电压和电流，IL为电池的光生电流，IS为pn结的反向

现有一块掺杂浓度N_D=10¹⁶cm²的n-Ge的样品，其厚度d＞＞L_p，在样品上表面用波长λ=0.75μm，其强度p=4.4×10^-3W/cm²的红光垂直照射，除反射之外，其余全部在表面薄层△d=0.1μm的厚度之内被均匀吸收，产生非平衡载流子△p=△n为小注入。设其量子产额β=1，表面对这种光的反射系数R=40%，光生载流子的寿命τ=1.82×10^-3s，电子迁移率μ_n=2800cm²/(V·s)，空穴迁移率μ_p=700cm²/(V·s)，普朗克常数h=6.6×10^-34J·s，光速C=3×10¹⁰cm/s(如图所示)。

  试求：室温(300K)下样品光照面和底面之间的开路电压V_x。

有n型CdS正方晶片，边长为1mm，厚为0.1mm，其波长吸收限为。今用光强度为1mW/cm²的紫色光(λ=4096)照射正方形表面，量子产额为β=1。设光生空穴全部被陷，光生电子寿命为τ_n=10^-5s，电子迁移率为μ_n=100cm²/(V·s)；并设光照能量全部被晶片吸收，求下列各值。

如图所示为一柱透镜汇聚的光照射在一条状半导体pn结上，已知在室温下n区电阻率为40Ω·cm，p区电阻率为0.1Ω·cm，反向饱和电流为1μA，电子迁移率为3600cm²/(V·s)，空穴迁移率为1800cm²/(V·s)，n区的电子深度为3×10¹³cm^-3，试回答下列问题：

用光子流强为P_o、光子能量为hν的光照射一个由金属和n型半导体构成,的肖特基光电二极管。已知E_g＞hν＞qφ_e(φ_B为接触电势差)，则在金属层内产生的光生电子，有部分向半导体内发射。如金属中的光吸收系数为α，金属膜的厚度为l，则离光照的金属表面x处的光生电子逸入半导体的几率为e^-b(l-x)。金属中光生电子的量子产额为β。试证：