一个理想的MOS电容器,衬底是掺杂浓度NA=1.5×1015/cm3的P型硅。若氧化层厚度是0.1μm时,阈值电压VT为1.1V,问氧化层厚度为0.2μm时,VT是多少?
第1题
一个p型半导体,受主密度NA=1.04×1016/cm3,该半导体的禁带宽度Ev=1.12eV,电子亲和势χ=3.4eV,在室温下测得它的功函数W=3.9eV,求此时这块半导体的表面势VS=?设室温下价带有效状态密度Nv=1.04×1019/cm3。
第2题
一个均匀掺杂的n型硅样品,施主密度ND为2.8×1016cm-3。设在样品表面存在受主型的表面态,它们相应的能级连续地、均匀地分布在价带顶和导带底之间,密度NS为6.0×1011cm-2·eV-1,试求出表面势Vs=?
第3题
用n型硅单晶片作为衬底制成MOS结构。铝电极面积A=1.6×10-7m2。在150℃下进行负B-T和正B-T处理。分别测得如图所示的C-V曲线(1)和(2)。求:在硅—二氧化硅界面处的正电荷面密度和二氧化硅中的可动离子的面密度。
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