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对氢氧化铁正溶胶来说,K2SO4的聚沉能力应比KCl的小,而比K3[Fe(CN)6]的大。()

对氢氧化铁正溶胶来说,K2SO4的聚沉能力应比KCl的小,而比K3[Fe(CN)6]的大。( )

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第1题

有[图]单原子分子组成的理想气体从初态a出发,经历一循...

单原子分子组成的理想气体从初态a出发,经历一循环过程abcda,最后回到初态a,如图所示。设。求: (1)在这一个循环过程中外界传给气体的净热量; (2)该循环的效率; 已知:

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第2题

稳态响应是指系统在输入信号作用下,其输出量从初始状态到稳定状态的响应过程。()

稳态响应是指系统在输入信号作用下,其输出量从初始状态到稳定状态的响应过程。()

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第3题

控制系统的稳定性是其固有特性,由系统结构与外界因素决定。
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第4题

将下列半导体材料的特性参数与其性质一一对应。1).禁带宽度A、反映材料的导电能力B、反映半导体材

将下列半导体材料的特性参数与其性质一一对应。

1).禁带宽度

A、反映材料的导电能力

B、反映半导体材料在外界作用(如光或电场)下内部的载流子由非平衡状态向平衡状态过渡的弛豫特性

C、反映组成这种材料的原子中价电子从束缚状态激发到自由状态所需的能量

2).电阻率、载流子迁移率

A、反映材料的导电能力

B、反映半导体材料在外界作用(如光或电场)下内部的载流子由非平衡状态向平衡状态过渡的弛豫特性

C、反映组成这种材料的原子中价电子从束缚状态激发到自由状态所需的能量

3).非平衡载流子寿命

A、反映材料的导电能力

B、反映半导体材料在外界作用(如光或电场)下内部的载流子由非平衡状态向平衡状态过渡的弛豫特性

C、反映组成这种材料的原子中价电子从束缚状态激发到自由状态所需的能量

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第5题

有2mol的理想气体,经过可逆的等压过程体积从V0膨胀到3V0。求在这一过程中的熵变。提示:设理想气体从初始状态

有2mol的理想气体,经过可逆的等压过程体积从V0膨胀到3V0。求在这一过程中的熵变。提示:设理想气体从初始状态到最终状态是先沿等温曲线,然后沿绝热曲线(在这个过程中熵没有变化)进行的。

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第6题

有2mol的理想气体,经过可逆的等压过程体积从V0膨胀到3V0.求在这一过程中的熵变.提示:设想气体从初始状态到

有2mol的理想气体,经过可逆的等压过程体积从V0膨胀到3V0.求在这一过程中的熵变.提示:设想气体从初始状态到最终状态是先沿等温曲线,然后沿绝热曲线(在这个过程中熵没有变化)进行的.

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第7题

系统稳定性表现为:

A.系统时域响应的收敛性,是系统的固有特性

B.系统在扰动撤销后,可以依靠外界作用恢复

C.系统具有阻止扰动作用的能力

D.处于平衡状态的系统,在受到扰动后部偏离原来平衡状态

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第8题

热力过程是指系统在外界条件作下,从某一状态变化到另一状态所经历的全部状态变化过程。()
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第9题

有2mol的理想气体,经过可逆的等压过程体积从V0膨胀到3V0,求在这一过程中的熵变. 提示:设理想气体从初始状

有2mol的理想气体,经过可逆的等压过程体积从V0膨胀到3V0,求在这一过程中的熵变.

提示:设理想气体从初始状态到最终状态是先沿等温曲线,然后沿绝热曲线(在这个过程中熵没有变化)进行的.

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第10题

关于外部稳定性和内部稳定性,下述说法正确的是()

A.外部稳定性描述的是系统在给定输入作用下的输出稳定性。

B.外部稳定性描述了自治系统自由运动的状态稳定性。

C.内部稳定性表达了在外界扰动消失后,系统由初始偏差状态恢复到原平衡状态的能力。

D.内部稳定性也称渐近稳定性,它是由系统的结构和参数决定的。

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