凡已规定检查含量均匀度的片剂，不必进行A.片重差异检查B.硬度检查C.崩解度检

一块有杂质补偿的硅材料，已知掺入受主密度N_A=1×10¹⁵/cm³，室温下测得其E_F恰好与施主能级重合，并得知平衡电子密度为n₀=5×10¹⁵/cm³。已知室温下硅的本征载流子密度n_i=1.5×10¹⁰/cm³，试求：

1）平衡少子密度？

2）掺入材料中的施主杂质密度？

3）电离杂质密度和中性杂质密度？

A．施主能级，导带底

B．施主能级，价带顶

C．受主能级，导带底

D．受主能级，价带顶

A．施主能级，导带底

B．施主能级，价带顶

C．受主能级，导带底

D．受主能级，价带顶

有一硅样品，施主浓度为N_D=2×10¹⁴cm^-3，受主浓度为N_A=10¹⁴cm^-3，已知施主电离能△E_D=E_c-E_D=0.05eV，试求99%的施主杂质电离时的温度。

有一硅样品，施主浓度为，受主浓度为，已知施主电离能。试求99%施主杂质电离时：(注意：上述情况的电中性方程为，按式(3-18)进行类氢模型计算) 1) 电中性条件方程； 2) 施主能级电子占据概率； 3) 此时的温度。

A、半导体中的杂质会局部的破坏晶格的周期性势场，引起载流子的散射。

B、电离的杂质会引起载流子的散射，从而影响载流子的迁移率。

C、中性杂质不会对半导体产生影响。

D、如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，由于所有的杂质都会破坏晶格周期性势场，所以对载流子迁移率的影响是两种杂质浓度之和。

E、如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，由于杂质的补偿作用，对载流子浓度的影响是两种杂质浓度之差。

F、如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，而且施主杂质浓度等于受主杂质浓度，由于杂质的补偿作用，该半导体材料属于本征半导体。

G、杂质会在半导体的禁带中引入能级。

H、如果杂质能级较浅，则杂质易于电离，可为半导体提供导电的载流子或改变半导体的导电类型，如掺入硅中的磷。

I、如果杂质能级较深，则杂质不易于电离，可能形成复合中心或陷阱中心。

J、如果杂质能级（深能级）的位置在EF附近，该杂质可有效促进载流子的复合，缩短非平衡载流子的寿命，起复合中心的作用，如掺入硅中的金。

K、如果杂质能级（深能级）的位置在Ei附近，该杂质可暂时收容非平衡载流子，延长了非平衡载流子的寿命，起陷阱中心的作用。

一个p型半导体，受主密度N_A=1.04×10¹⁶/cm³，该半导体的禁带宽度E_v=1.12eV，电子亲和势χ=3.4eV，在室温下测得它的功函数W=3.9eV，求此时这块半导体的表面势V_S=？设室温下价带有效状态密度N_v=1.04×10¹⁹/cm³。