外伸梁DB受力如图所示。已知均布载荷为q，集中力偶MC=3qa2。图中2－2与3－3截面称为A点处的临近截面，即△→0；同样4

设晶格常数为a的一维晶格，导带极小值附近能量E_C(k)和价带极大值附近能量EV(k)分别为:m₀为电子惯性质量，。试求:

(1)禁带宽度:

(2)导带底电子有效质量:

(3)价带顶电子有效质量;

(4)价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化

A．空穴运动的本质是受共价键束缚的电子在共价键的等价位置间的运动。

B．空穴常出现在价带顶。

C．空穴的有效质量为正。

D．空穴常出现在导带底部。

E．空穴的有效质量为负。

(第1 章习题1)设晶格常数为a的一维晶格，导带极小值附近能量Ec(k)和价带极大值附近能量Ev(k)分别为和，式中，m0为电子惯性质量，k1 = π/a，a = 0.314 nm。试求：(1) 禁带宽度；(2) 导带底部电子有效质量；(3) 价带顶部电子有效质量；(4) 价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化。

A．导带中的电子服从玻耳兹曼分布函数

B．价带中的空穴服从玻耳兹曼分布函数

C．费米能级位于禁带内，且与导带底或价带顶的距离大于2k0T

D．导带中的电子服从费米分布函数

E．价带中的空穴服从费米分布函数

F．费米能级距离带边（导带底或价带顶）很近，甚至进入导带或价带

A．窄带材料的导带底和价带顶均位于宽带材料的禁带中，这种结构的电子势阱和空穴势阱都位于窄带材料中

B．一种材料的导带底和价带顶均分别低于另一种材料的导带底和价带顶，电子势阱和空穴势阱分别位于两种材料中，电子与空穴在空间上是分离的

C．一种材料的导带底与另一种材料的价带顶有一部分重叠，电子势阱和空穴势阱不在同一种材料中

D．窄带材料的导带底和价带顶均位于宽带材料的禁带中，电子势阱和空穴势阱不在同一种材料中