A.侦查期间发现犯罪嫌疑人另有重要罪行的,重新计算羁押期限
B.犯罪嫌疑人不讲真实姓名,身份不明的,自查清其身份之日起计算羁押期限
C.对犯罪嫌疑人作笔迹鉴定的期间不计人侦查羁押期限
D.对犯罪嫌疑人作精神病鉴定的时间不计入羁押期限
第1题
一个硅肖特基势垒二极管有0.01cm2的接触面积,半导体中施主浓度为1016cm-3.设ψ0=0.7V,VR=10.3V.计算:
第2题
某半导体硅样品,施主杂质原子的浓度为1012cm-3,试问在什么温度下它就不再呈现本征导电性?设Eg=1eV,
第3题
有一块施主浓度的n-Ge,在它与金属接触面上形成了肖特基势垒二极管,已知,求加上0.3 V 电压时的正向电流密度。
第4题
有一块施主浓度ND=1016/cm3的n型锗材料,在它的(111)面上与金属接触制成肖特基势垒二极管,已知:VD=0.4V,求加上0.3V电压时的正向电流密度。
第5题
若在每105个硅原子中掺杂一个施主原子,试计算在T=300K时自由电子和空穴热平衡浓度值,掺杂前后半导体的电导率之比。
第6题
A.本征半导体中掺入施主杂质。
B.半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质,且施主浓度大于受主浓度。
C.半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质,且施主浓度小于受主浓度。
D.半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质,且施主浓度等于受主浓度。
E.本征半导体中掺入受主杂质。
第7题
【习题7-8】有一块施主浓度的n型锗材料,在它的(111)面上与金属接触制成肖特基势垒二极管,已知,求加上0.3 V电压时的正向电流密度。
第9题
在本征硅半导体中,掺入浓度为的受主杂质,当T=300K时,所形成的杂质半导体类型为_______型。若再掺入浓度为的施主杂质,则半导体类型为________型。若将该半导体温度上升到T=500K,则半导体类型为________型。若将该半导体温度上升到T=600K,则半导体类型为________。(填写N、P或者本征半导体)
为了保护您的账号安全,请在“上学吧”公众号进行验证,点击“官网服务”-“账号验证”后输入验证码“”完成验证,验证成功后方可继续查看答案!