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如何全面评价公开市场业务?

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第1题

内存芯片存储单元靠内存芯片的行地址和()来进行标识
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第2题

笔记本内存条的SPD芯片记录了该内存的许多重要信息,诸如内存芯片及模组的生产厂商、工作频率、工作电压、速度、容量、电压与行、列地址带宽等参数。该芯片具有()引脚,容量为256字节

A.4针

B.8针

C.12针

D.16针

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第3题

关于RAS#Precharge描述正确的是()

A.列地址至行地址的延迟时间,简称RCD

B.行地址控制器延迟时间

C.列动态时间,也称tRAS,表示一个内存芯片上两个不同的列逐一寻址时所造成的延迟

D.列地址控制器预充电时间,简称tRP

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第4题

内存中实际存储单元的地址称为逻辑地址。()

内存中实际存储单元的地址称为逻辑地址。()

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第5题

DRAM中的存储单元是以矩阵形式组织的,通过行地址和列地址经译码后访问矩阵中的某个存储单元。一个
有9根地址线、行地址与列地址复用的DRAM芯片,能访问的存储单元数目是

A.29个

B.(29+29)个

C.(29×29)个

D.(9×9)个

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第6题

动态存储器芯片的正常访问周期为60us,其中,输入行地址和列地址分别需要20ns。如果行地址不变,只改
变列地址,则可以节省输入行地址的时间。对于一个容量为64MB的芯片,全部存储单元都访问一遍至少需要(3)s。

A.1.34

B.2.68

C.5.36

D.3.16

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第7题

内存地址从AC000H 到C7FFFH,共有(46)K 个地址单元。如果该内存地址按字(16位)编址,由28片存储器芯片构成。已知构成此内存的芯片每片有16K个存储单元,则该芯片每个存储单元存储(47)位。

A.96

B.112

C.132

D.156

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第8题

DRAM中的存储单元是以矩阵形式组织的,通过行地址和列地址经译码后访问矩阵中的某个存储单元。一个
有9根地址线、行地址与列地址复用的DRAM芯片,能访问的存储单元数目是

A.29个

B.(29+29)个

C.(29×29)个

D.(9×9)个

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