第2题
A.4针
B.8针
C.12针
D.16针
第3题
A.列地址至行地址的延迟时间,简称RCD
B.行地址控制器延迟时间
C.列动态时间,也称tRAS,表示一个内存芯片上两个不同的列逐一寻址时所造成的延迟
D.列地址控制器预充电时间,简称tRP
第5题
A.29个
B.(29+29)个
C.(29×29)个
D.(9×9)个
第6题
A.1.34
B.2.68
C.5.36
D.3.16
第7题
A.96
B.112
C.132
D.156
第8题
A.29个
B.(29+29)个
C.(29×29)个
D.(9×9)个
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