A.(101)
B.(110)
C.(111)
D.(100)
第1题
A.利用化学气相沉积直接制备多晶硅薄膜
B.将多晶硅片切薄
C.对多晶硅片进行热处理
D.非晶硅晶化制备
第2题
A.晶向
B.厚度
C.平行度
D.翘度
第3题
用于硅片清洗常用的有机溶剂有甲苯、丙酮、酒精等。()
第4题
A.(100)
B.(111)
C.(110)
D.(211)
第5题
C.(110)
D.(211)
第6题
A.倒角
B.去掉两端
C.径向研磨
D.硅片定位边和定位槽
第7题
有[100]晶向的n型单晶硅片和某一金属接触形成肖特基二极管,其参数为Wm=4.7eV,χs=4.0eV,Nc=1019cm-3,ND=1015cm-3,半导体硅的相对介电常数为εr=12,忽略表面态的影响,计算室温下:
第8题
A.滚磨、定晶向
B.切片、倒角
C.研磨、腐蚀
D.抛光、检验
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