A.通电流能力强
B.导通电阻具有正温度系数
C.导通电阻具有负温度系数
D.通电流能力弱
第2题
A.型号相同的MOSFET可以并联运行,而IGBT不可以并联运行。
B.型号相同的MOSFET可以并联运行,IGBT在通过电流较大时通态压降具有正温度系数,也可以并联使用。
C.型号相同的MOSFET不可以并联运行,而IGBT可以并联运行。
D.型号相同的MOSFET和IGBT都不可以并联运行。
第3题
A.MOSFET的通态电阻具有正温度系数,对器件并联时的均流不利。
B.MOSFET的通态电阻具有负温度系数,不能并联使用。
C.MOSFET的通态电阻具有正温度系数,此特性对器件并联时的均流有利。
D.MOSFET的通态电阻具有负温度系数,对器件并联时的均流有利。
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