A.集成电路是以半导体材料为基片
B.集成电路中需至少有一个是有源元件
C.集成电路布图设计是一种三维配置
D.集成电路中须有三个以上元件
第1题
B.受保护的集成电路布图设计应当富有美感
C.对集成电路布图设计的保护不延及思想、处理过程、操作方法或者数学概念等
D.集成电路布图设计专有权自创作完成之日起产生
第2题
B.由法人主持,依据法人的意志而创作,并由法人承担责任的布图设计,该法人是创作者
C.受委托创作的布图设计,委托人和受托人对专有权的归属未作约定或者约定不明的,其专有权由委托人享有
D.两个以上自然人、法人或者其他组织合作创作的布图设计,合作者对专有权的归属未作约定或者约定不明的,其专有权由合作者共同享有
第3题
A.受保护的集成电路布图设计应当具有独创性
B.集成电路布图设计专有权经国务院知识产权行政部门登记产生
C.对集成电路布图设计的保护不延及思想、处理过程、操作方法或者数学概念等
D.集成电路布图设计专有权的保护期为十五年
第4题
A、布图设计专有权经国家知识产权局登记产生
B、布图设计专有权自创作完成之日起自动产生
C、布图设计专有权的保护期为15年,自布图设计登记申请之日起计算,
D、布图设计专有权的保护期为15年,自布图设计创作完成之日起计算
第5题
A.布图设计专有权经国务院知识产权行政部门登记产生
B.未经登记的布图设计不受集成电路布图设计保护条例的保护
C.无论是否登记或者投入商业利用,布图设计自创作完成之日起10年后,不再受集成电路布图设计保护条例的保护
D.布图设计自其在世界任何地方首次商业利用之日起2年内未提出登记申请的,国务院知识产权行政部门不再予以登记
第6题
A.外国人创作的布图设计首先在中国境内投入商业利用的,依照本条例享有布图设计专有权
B.外国人在中国境内创作的布图设计,依照本条例享有布图设计专有权。
C.外国人创作的布图设计,其创作者所属国同中国签订有关布图设计保护协议或者与中国共同参加有关布图设计保护国际条约的,依照本条例享有布图设计专有权。
D.中国自然人、法人或者其他组织在境外创作的布图设计,可以依照本条例享有布图设计专有权。
第7题
A.布图设计专有权的取得方式是登记
B.布图设计专有权的保护期为10年,自授权公告之日起算
C.对布图设计专有权可以适用强制许可
D.对受保护的布图设计进行反向工程不构成侵权
E.布图设计专有权的转让自书面合同签订之日起生效
第8题
A.外国人在中国境内创作的布图设计,依照本条例享有布图设计专有权。
B.外国人创作的布图设计首先在中国境内投入商业利用的,依照本条例享有布图设计专有权。
C.外国人在同中国签订有关布图设计保护协议或者与中国共同参加有关布图设计保护国际条约的国家领土内首先投入商业利用的布图设计,依照本条例享有布图设计专有权。
D.外国人在同中国签订有关布图设计保护协议或者与中国共同参加有关布图设计保护国际条约的国家境内创作的布图设计,依照本条例享有布图设计专有权。
第9题
A.外国人创作的布图设计首先在中国境内投入商业利用的,依照本条例享有布图设计专有权
B.外国人在中国境内创作的布图设计,依照本条例享有布图设计专有权。
C.外国人创作的布图设计,其创作者所属国同中国签订有关布图设计保护协议或者与中国共同参加有关布图设计保护国际条约的,依照本条例享有布图设计专有权。
D.中国自然人、法人或者其他组织在境外创作的布图设计,可以依照本条例享有布图设计专有权。
第10题
B.乙对受保护的布图设计中某些具有独创性的部分进行复制
C.丙将布图设计专有权人投放市场的含有受保护布图设计的集成电路再次进行商业利用
D.丁将自己独立创作的与受保护的布图设计相同的布图设计投入商业利用
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