A.栅极电压
B.栅极电流
C.源极电压
D.源极电流
第1题
B.发射极电流
C.栅极电压
D.发射极电压
第2题
此题为判断题(对,错)。
第3题
第4题
第5题
B.发射电流
第6题
B.可控硅SCR
C.电力场效应管MOSFET
D.可关断可控硅GTO
第7题
第8题
A、电力场效应晶体管
B、绝缘栅双极晶体管
C、电力晶体管
D、门极可关断晶闸管
第9题
第10题
A、驱动原理与电力MOSFET相同,是场控器件
B、主要导电沟道由其内部的晶体管提供
C、通过结构分析可知,其内部寄生着一个二极管
D、高耐压的同时也具有很小的通态压降
E、可能出现的二次击穿对IGBT危害极大
F、关断过程中存在拖尾电流,导致其关断时间延长
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