三极管对于饱和状态时，两个PN结处于正偏，当两个PN结均处于反偏时，三极管处于截止状态（）

A. 饱和；

B. 放大；

C. 截止。

A.发射结和集电结同时反偏

B.发射结正偏，集电结反偏

C.发射结和集电结同时正偏

D.发射结反偏，集电结正偏

A.发射结和集电结同时反偏

B.发射结正偏，集电结反偏

C.发射结和集电结同时正偏

D.发射结反偏，集电结正偏

A.发射结和集电结同时反偏

B.发射结正偏，集电结反偏

C.发射结和集电结同时正偏

D.发射结反偏，集电结正偏

此题为判断题(对，错)。

一、单项选择题（将正确答案的编号字母填入括号内，每题2分，共24分） 1、N型半导体中自由电子是（ ）。 A、由电源注入 B、少数载流子 C、多数载流子 D、空穴 2、PN结正向偏置时会使其导通，这时P区的电位（ ）。 A、高 B、低 C、与N区电位相等 D、等于0 3、三极管工作于饱和状态时，发射结处于正向偏置，集电结处于( )。 A、反向偏置 B、正向偏置 C、零偏置 D、不偏置 4、放大电路静态分析是指要确定直流工作点，包括三个主要参数（ ）。 A、Ubc、Ic、Uce B、 Ib、Uc、Uce C、 Ib、Uc、Ue D、 Ib、Ic、Uce 5、理想运算放大器工作在线性区时，差模输入电压约等于0，即（ ）,称为“虚短”。 A、u+=0 B、u– =0 C、u+= u–=0 D、u+= u– 6、反相比例运算电路中，输出电压uo与输入电压ui 的极性( )。 A、相反 B、相同 C、不确定 D、无关 7、直流稳压电源的作用是将（ ）变为直流电源。 A、光能 B、交流电 C、热能 D、高压直流电 8、直流稳压电源中电容滤波电路的作用是通过电容的（ ）和放电使输出电压波形较平滑。 A、储能 B、隔直流特性 C、放大 D、击穿 9、二进制数1101等于十进制数的（ ）。 A、5 B、9 C、13 D、14 10、设有两个逻辑变量A和B，A+AB =（ ）。 A、A B、B C、A+B D、AB 11、双稳态触发器能储存一位（ ）进制代码。 A、十六 B、十 C、八 D、二 12、D触发器的状态Qn+1 =（ ）。 A、Qn B、Dn C、QnDn D、Dn+1

齐齐哈尔工程学院2019—2020学年第二学期月考试卷（一） 课程名称：《模拟电子技术》 一、填空题（共40分，每题2分） 1.半导体中有两种载流子：自由电子与（ ）。 2.因浓度差而产生的运动称为（ ）。 3.将两种杂质半导体制作在同一个硅片（或锗片）上，在它们的交界面处，上述两种运动最终达到动态平衡，从而形成（ ）。 4.三极管中漂移运动形成（ ）电流。 5. 由一个PN结组成，（ ）后在一定的电流范围内端电压基本不变，为稳定电压。 6.PN结正偏时（ ），反偏时（ ），所以PN结具有（ ）导电性。 7.漂移电流是（ ）电流，它由（ ）载流子形成，其大小与（ ）有关，而与外加电压（ ）。 8.所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（ ），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（ ），等效成断开； 9.P型半导体中空穴为（ ）载流子，自由电子为（ ）载流子。 10.三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（ ），集电结（ ）。 11.当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（ ），发射结压降（ ）。 二、选择题（共10分，每题2分） 1.二极管两端电压大于（ ）电压时，二极管才导通。 A. 击穿电压 B. 死区 C. 饱和 D.开启电压 2.当温度升高时，二极管的正向电压（ ）。 A. 增大 B. 减小 C.不变 D.无法判定 3.晶体管在放大工作区时，随Ib的增加β值（ ）。 A、增加 B、下降 C、不变 D无法确定 4.三极管的反向电流ICBO是由（ ）组成的。 A、多数载流子 B、少数载流子 C、多数载流子和少数载流子 5.如果在NPN型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置，集电结也为正向偏置，则此管的工作状态为（ ） A.放大状态 B.截止状态 C.饱和状态 D不能确定。 三、判断题（共20分，每题2分） 1.PN结有单向导电性。（ ） 2.三极管有三区、三极和三个PN结。（ ） 3.三极管的发射结反偏，集电结正偏，起放大作用。（ ） 4.复合运动形成的基极电流。( ) 5.二极管的热击穿可逆，电击穿不可逆。( ) 6.本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。（ ） 7.未加外部电压时，PN结中电流从P区流向N区。（ ） 8.半导体中的空穴带正电。 （ ） 9.P型半导体带正电，N型半导体带负电。 （ ） 10.稳压二极管工作在反向击穿状态。（ ） 四、画图题（共30分） 电路如图所示，已知ui＝5sinωt (V)，二极管导通电压UD＝0.7V。试画出ui与uO的波形，并标出幅值。

A. PN结

B. 基极

C. 发射结

D. 发射极

A、发射区具有高掺杂的浓度且基区很薄

B、PN结的单向导电性

C、集结反偏

D、发射结正偏