导体对电流的阻碍作用称为电阻，它是衡量导体导电性能的物理量。导体的电阻与有关（）

在电工学中，通常将具有良好导电性能的物体称为导体，将导电性能较差的物体称为绝缘体，导体对电流的阻碍作用叫做电阻。电阻用符号“R”表示，基本单位是欧姆，用字母Ω表示，常用单位还有kΩ、MΩ等，下面正确的换算关系是( )。

A、1kΩ=1000Ω

B、1kΩ=10-3Ω

C、1Ω=10-6MΩ

D、1MΩ=106Ω

E、1Ω=106MΩ

表示导体导电能力的物理参数是( )

A.电流

B.电阻

C.电压

D.电容

A．1 kΩ=1 000 Ω

B．1 kΩ=10-3Ω

C．1Ω=10-6 MQ

D．1 MΩ=10 6Ω

E．1Ω= 10 6MΩ

以下有关电阻的说法正确的有()。

A.导体对电流的阻力小，表明它的导电能力强

B.导体对电流的阻力大，表示它的导电能力强

C.电阻用字母R表示，单位是欧姆

D.电阻的表达式为：R=ρS/L

A．电流

B．电阻

C．电压

D．电容

此题为判断题(对，错)。

A. 带电导体

B. 有感元器件

C. 断路器、隔离开关、母线接点、母线上接触部件和其它流经大电流接点的导电回路电阻

D. 带电导体和有感元器件

光电导效应检测器件——光敏电阻的特性测试

  实验目的

  (1)通过对光敏电阻基本参数的测量实验，掌握研究光敏电阻特性的基本方法。

  (2)通过光敏电阻电路的基本连接，掌握光敏电阻的使用方法。

  实验内容

  (1)测量暗电阻和无光照射时的伏安特性曲线。

  (2)测量亮电阻和一定光照下的伏安特性曲线。

  (3)作出光电特性曲线，求出光照灵敏度。

  (4)求出光电导灵敏度、电阻灵敏度与比灵敏度。

  实验原理

  下图所示为光敏电阻的原理图与光敏电阻的符号。由上所述，在均匀的具有光导效应的半导体材料的两端加上电极，便构成光敏电阻。当光敏电阻的两端加上适当的偏置电压U_bb(如图所示的电路)后，便有电流I_p流过，用检流计可以检测到该电流。改变照射到光敏电阻上的光度量(如照度)，发现流过光敏电阻的电流I_p将发生变化，说明光敏电阻的阻值随照度变化。

 

  当入射光子使电子由价带跃升到导带时，导带中的电子和价带中的空穴均参与导电，因此电阻显著减小，电导增加。若连接电源和负载电阻，即可输出电信号。一般有光照时的光敏电阻的阻值称为亮电阻。此时可得出光电导g与光电流I_p的表达式为

  g=g_L-g_d

  I_p=I_L-I_d  (2-1)

  式中，g_L为亮电导；g_d为暗电导；I_L为亮电流；I_d为暗电流。

  根据半导体材料的分类，光敏电阻有两大基本类型：本征型半导体光敏电阻与杂质型半导体光敏电阻。由《光电检测技术》教材第2章中式(2-60)与式(2-61)可以看出，本征型半导体光敏电阻的长波限要短于杂质型半导体光敏电阻的长波限。

  因此，本征型半导体光敏电阻常用于可见光波段的探测，而杂质型半导体光敏电阻常用于红外波段甚至于远红外波段辐射的探测。

  下面介绍本实验涉及到的有关特性参数。

  1．灵敏度

  除了常用的电流灵敏度S₁与电压灵敏度S_V，以外，光敏电阻还有下列几个灵敏度。

  (1)光电导灵敏度S_g

  光敏电阻的光电导g与输入光照度E之比，即为光电导灵敏度。即

  (2-2)

  式中，A为光敏面积；Φ为入射的通量。由欧姆定律，电流I与电压U的关系为I=gU，将式(2-2)中g=S_gE代入得

  I=S_gEU  (2-3)

  此即弱光照时的线性关系。

  (2)电阻灵敏度S_R

  暗电阻R_d与亮电阻R_L之比，称为电阻变化倍数，即。而电阻灵敏度为

  (2-4)

  其中△R=R_d-R_L。显然差别越大越好。

  (3)比灵敏度S_B

  比灵敏度S_B也称积分比灵敏度。即单位通量Φ与电压U下所产生的光电流I_L。即

  (2-5)

  2．光电特性

  光敏电阻的光电流I_L与输入辐射通量Φ有下列关系式：

  I_L=AUΦ^γ  (2-6)

  式中，A为光敏材料决定的常数；U为电源电压；γ为0.5～1之间的系数。弱光照时，γ=1，I_L与Φ有良好的线性关系，即线性光电导；强光照时，γ=0.5，即抛物线性光电导。实验证明，当所加电压一定时，CdS光敏电阻的光电特性曲线如下图所示。

 

  3．伏安特性(输出特性)

  在一定光照下，光敏电阻的光电流与所加电压关系即为伏安特性。如下图所示。光敏电阻是一个纯电阻，因此符合欧姆定律，故曲线为直线，具有与普通电阻相似的伏安特性。图中虚线为允许功耗或额定功耗线。使用时，应不使光敏电阻的实际功耗超过额定值。在设计负载电阻时，应不使负载线与额定功耗线相交。即使光敏电阻的工作电压、电流控制在额定功耗线之内。

 

  实验所用仪器设备

  (1)直流稳压电源

  (2)万用表

  (3)微安表、毫安表

  (4)照度计

  (5)标准光源

  (6)滑线电阻器，电阻箱

  (7)滤光片

  (8)中性密度片

  光敏电阻特性测试电路

  不打开电源，将光敏电阻接入下图所示的电路中，并连接好测试仪表。

 

A、导体材料的导电性能

B、导体的截面

C、环境温度

D、导体上的电压、电流大小

齐齐哈尔工程学院2019—2020学年第二学期月考试卷（一） 课程名称：《模拟电子技术》 一、填空题（共40分，每题2分） 1.半导体中有两种载流子：自由电子与（ ）。 2.因浓度差而产生的运动称为（ ）。 3.将两种杂质半导体制作在同一个硅片（或锗片）上，在它们的交界面处，上述两种运动最终达到动态平衡，从而形成（ ）。 4.三极管中漂移运动形成（ ）电流。 5. 由一个PN结组成，（ ）后在一定的电流范围内端电压基本不变，为稳定电压。 6.PN结正偏时（ ），反偏时（ ），所以PN结具有（ ）导电性。 7.漂移电流是（ ）电流，它由（ ）载流子形成，其大小与（ ）有关，而与外加电压（ ）。 8.所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（ ），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（ ），等效成断开； 9.P型半导体中空穴为（ ）载流子，自由电子为（ ）载流子。 10.三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（ ），集电结（ ）。 11.当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（ ），发射结压降（ ）。 二、选择题（共10分，每题2分） 1.二极管两端电压大于（ ）电压时，二极管才导通。 A. 击穿电压 B. 死区 C. 饱和 D.开启电压 2.当温度升高时，二极管的正向电压（ ）。 A. 增大 B. 减小 C.不变 D.无法判定 3.晶体管在放大工作区时，随Ib的增加β值（ ）。 A、增加 B、下降 C、不变 D无法确定 4.三极管的反向电流ICBO是由（ ）组成的。 A、多数载流子 B、少数载流子 C、多数载流子和少数载流子 5.如果在NPN型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置，集电结也为正向偏置，则此管的工作状态为（ ） A.放大状态 B.截止状态 C.饱和状态 D不能确定。 三、判断题（共20分，每题2分） 1.PN结有单向导电性。（ ） 2.三极管有三区、三极和三个PN结。（ ） 3.三极管的发射结反偏，集电结正偏，起放大作用。（ ） 4.复合运动形成的基极电流。( ) 5.二极管的热击穿可逆，电击穿不可逆。( ) 6.本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。（ ） 7.未加外部电压时，PN结中电流从P区流向N区。（ ） 8.半导体中的空穴带正电。 （ ） 9.P型半导体带正电，N型半导体带负电。 （ ） 10.稳压二极管工作在反向击穿状态。（ ） 四、画图题（共30分） 电路如图所示，已知ui＝5sinωt (V)，二极管导通电压UD＝0.7V。试画出ui与uO的波形，并标出幅值。