A.提供光信号增益
B.补偿光信号在通路中的传输衰减
C.增大系统无中继传输距离
D.以上皆是
第2题
A、拉曼放大器可作为宽带放大器,同时对多个不同波长进行放大
B、拉曼放大器可在原有光纤基础上直接扩容,可以减少投资
C、光纤拉曼放大器的自发辐射噪声优于掺铒光纤放大器
D、光纤拉曼放大器只能对特定波长的信号进行放大
第3题
A、利用光辐射照射金属与半导体的接触势垒,通过产生的多子越过势垒进入耗尽层来改变接触势垒的高度(结电压)。
B、利用光辐射照射金属与半导体的接触势垒,通过产生的电子空穴对被势垒区的内建场分开来改变接触势垒的高度(结电压)。
C、光辐射照射激发到量子阱子能带上的电子使之通过隧道效应或跃迁到自由态形成光电流。
D、光辐射照射激发到导带上的电子使之通过隧道效应或跃迁到自由态形成光电流。
第4题
A、利用光辐射照射金属与半导体的接触势垒,通过产生的电子空穴对被势垒区的内建场分开来改变接触势垒的高度(结电压)。
B、光辐射照射激发到量子阱子能带上的电子使之通过隧道效应或跃迁到自由态形成光电流。
C、利用光辐射照射金属与半导体的接触势垒,通过产生的多子越过势垒进入耗尽层来改变接触势垒的高度(结电压)。
D、光辐射照射激发到导带上的电子使之通过隧道效应或跃迁到自由态形成光电流。
第5题
A、响应度始终随波长的增加而增加;
B、响应度随半导体材料吸收系数的增加而增加;
C、材料厚度的减少时响应度增加而响应速度降低;
D、响应度与量子效率成正比。
第6题
A、利用光辐射照射P-N结空间电荷区及结区两侧扩散长度范围内区域产生的电子空穴对在P-N结两端形成的电压变化。
B、在光辐射的照射下,半导体内因吸收光子产生电子空穴对使半导体的电导率发生改变的现象
C、在光辐射的照射下,半导体内因吸收光子产生电子空穴对,且产生的光电子逸出体外参与导电的现象。
D、利用光辐射照射P-N结结区两侧扩散长度范围内区域产生的电子空穴对在P-N结两端形成的电压变化。
第7题
A、在光辐射的照射下,半导体内因吸收光子产生电子空穴对使半导体的电导率发生改变的现象
B、在光辐射的照射下,半导体内因吸收光子产生电子空穴对,且产生的光电子逸出体外参与导电的现象。
C、利用光辐射照射P-N结空间电荷区及结区两侧扩散长度范围内区域产生的电子空穴对在P-N结两端形成的电压变化。
D、利用光辐射照射P-N结结区两侧扩散长度范围内区域产生的电子空穴对在P-N结两端形成的电压变化。
第8题
A、放大光信号,扩大接收机动态范围
B、放大光信号,降低接收机动态范围
C、放大光信号,延长中继距离
D、放大光信号,缩短光信号传输距离
E、放大正向光信号,抑制反向光信号
F、放大光信号,增大光发射机的光功率
第9题
A、在光辐射的照射下,半导体内因吸收光子产生电子空穴对,导致半导体自身的电学特性发生改变的现象。
B、在光辐射的照射下,半导体内因吸收光子产生电子空穴对,且所产生的光电子发射到半导体外的现象。
C、在红外辐射入射下,探测器材料接收外界光子能量受热升温,进而产生与温度相关的电学性质改变的现象。
D、半导体材料内部载流子在电场作用下产生双极运动的现象。
第10题
A、在光辐射的照射下,半导体内因吸收光子产生电子空穴对,且所产生的光电子发射到半导体外的现象。
B、在光辐射的照射下,半导体内因吸收光子产生电子空穴对,导致半导体自身的电学特性发生改变的现象。
C、在红外辐射入射下,探测器材料接收外界光子能量受热升温,进而产生与温度相关的电学性质改变的现象。
D、半导体材料内部载流子在电场作用下产生双极运动的现象。
为了保护您的账号安全,请在“上学吧”公众号进行验证,点击“官网服务”-“账号验证”后输入验证码“”完成验证,验证成功后方可继续查看答案!