Q称为回路的__，是谐振时回路感抗值（或容抗值）与回路电阻值R的比值

A、并联谐振回路的谐振条件是回路的电纳为零，即

B、并联谐振回路谐振时，谐振电阻为纯电阻，其值为感抗值（或容抗值）的Q倍

C、并联谐振电路谐振时电感和电容中电流的幅值是外加电流源的Q倍

D、并联谐振电路谐振时电感和电容中两端电压的幅值是外加电压源的Q倍

A、反映并联谐振回路的损耗大小

B、空载品质因素等于特性阻抗除以损耗电阻R

C、空载品质因素等于并联谐振电阻Rp除以特性阻抗

D、空载品质因素等于并联谐振时的感纳(或容纳)除以并联谐振电导gp

E、有载品质因素等于并联谐振时的感纳(或容纳)除以并联谐振电导gp、信号源电导gs、负载电导gL之和

F、空载品质因素等于并联谐振时的感抗(或容抗)除以损耗电阻R

G、空载品质因素等于并联谐振电阻Rp除以并联谐振时的感抗(或容抗)

H、空载品质因素等于感抗(或容抗)与损耗电阻R之比

I、空载品质因素等于并联谐振时的感抗(或容抗)与并联谐振电阻Rp之比

J、相比空载品质因素时的通频带，有载品质因素时的通频带降低

A、反映串联谐振回路的损耗大小

B、空载品质因素等于串联谐振时的感抗与损耗电阻R之比

C、有载品质因素等于串联谐振时的感抗(或容抗)除以损耗电阻R、信号源内阻、负载电阻之和

D、空载品质因素等于容抗与损耗电阻R之比

E、空载品质因素等于失谐时感抗(或容抗)与损耗电阻R之比

F、空载品质因素等于串联谐振时的总电抗与损耗电阻R之比

G、相比仅考虑空载品质因素时的通频带，考虑有载品质因素时的通频带降低

A、反映并联谐振回路的损耗大小

B、空载品质因素等于并联谐振时的感抗(或容抗)除以损耗电阻R

C、空载品质因素等于并联谐振电阻Rp除以并联谐振时的感抗(或容抗)

D、有载品质因素等于并联谐振时的感纳(或容纳)除以并联谐振电导Gp、信号源电导Gs、负载电导GL之和

E、空载品质因素等于并联谐振时的总电抗与损耗电阻R之比

F、空载品质因素等于并联谐振时的电抗之和与并联谐振电阻Rp之比

G、空载品质因素等于特性阻抗与并联谐振电阻Rp之比

H、相比仅考虑空载品质因素时的通频带，考虑有载品质因素时的通频带降低

A、空载品质因素等于特性阻抗除以损耗电阻R

B、空载品质因素等于并联谐振电阻Rp除以特性阻抗

C、空载品质因素等于并联谐振时的感纳(或容纳)除以并联谐振电导Gp

D、有载品质因素等于并联谐振时的感纳(或容纳)除以并联谐振电导Gp、信号源电导Gs、负载电导之和

E、空载品质因素等于感抗(或容抗)与损耗电阻R之比

F、空载品质因素等于并联谐振时的感抗(或容抗)与并联谐振电阻Rp之比

G、相比仅考虑空载品质因素时的通频带，考虑有载品质因素时的通频带降低

A、空载品质因素等于串联谐振时的容抗与损耗电阻R之比

B、空载品质因素等于特性阻抗与损耗电阻R之比

C、相比仅考虑空载品质因素时的通频带，考虑有载品质因素时的通频带增大

D、空载品质因素等于感抗与损耗电阻R之比

E、空载品质因素等于失谐时感抗(或容抗)与损耗电阻R之比

F、空载品质因素等于串联谐振时的总电抗与损耗电阻R之比

G、空载品质因素等于串联谐振时的电抗之和除以损耗电阻R

A.回路电流最大

B.回路电流最小

C.回路电流与感抗、容抗大小有关

D.回路阻抗最大