A.光生电荷
B.积累电荷
C.转移电荷
D.产生电信号
第2题
B.35kV以上电压等级的避雷器绝缘电阻不应小于2500MΩ
C.直流参考电流下的直流参考电压实测值与制造厂实测值比较,其允许偏差应为±10%
D.0.75倍直流参考电压下的泄漏电流值不应大于50μA或符合产品技术条件的规定
第7题
一个理想的MOS电容器,p型Si衬底的掺杂浓度为。当氧化层厚度为时,阈值电压为,则当氧化层厚度为时的阈值电压为( )。
A、
B、
C、
D、
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