【单选题】如图所示,B为面电荷密度为的均匀带电的无限大平面,A为一无限大带电平行导体板。静电平衡后,A板的面电荷密度分别为和,那么极靠近A板的右侧面的一点P的场强大小为().
A、
B、
C、
D、
第1题
如图所示,B为面电荷密度为的均匀带电的无限大平面,A为一无限大带电平行导体板。静电平衡后,A板的面电荷密度分别为和,那么极靠近A板的右侧面的一点P的场强大小为( ).
A、
B、
C、
D、
第2题
如图所示,将电荷面密度为的均匀带电的无限大平面B,移近不带电的无限大平行导体板A。当导体板A达到静电平衡后,极靠近A板的右侧一点P的场强大小为
A、
B、
C、
D、
第4题
如图所示,在半径为、电荷体密度为的无限长均匀带电圆柱体内部,有一个半径为的圆柱形空腔,空腔的两端延展到无穷远处,且其中心轴线与圆柱体中心轴线之间的距离为a,下列说法中正确的是
A、可以取一高斯面,直接用高斯定理求空腔内任一点处的电场强度。
B、空腔内的电场为均匀电场。
C、空腔内的电场不可能为均匀电场。
D、无法确定空腔内任一点处的场强大小。
第5题
第6题
(1)薄板所在平面内,距薄板边缘为a处的电场强度;
(2)通过薄板的几何中心的垂直线上与薄板的距离为h处的电场强度。
第7题
第9题
A.
B.
C.
D.
第10题
电荷面密度均为+σ的两块“无限大”均匀带电的平行平板如图(a)所示放置,其周围空间各点电场强度E(设电场强度方向向右为正、向左为负)随位置坐标x变化的关系曲线为图(b)中的( ).
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