A.600
B.5100
C.5500
D.6100
第1题
A.25000ns
B.250023ns
C.250017ns
D.250020ns
第5题
一个有4096位的DRAM,如果存储矩阵为64×64结构形式,且每个存储单元刷新时间为100ns,则存储单元全部刷新一遍最快需要多长时间?如果刷新每行的最长间隔时间为15.6μs,则该DRAM的刷新周期最长为多少?刷新操作所用时间占刷新周期的百分比是多少?
第6题
A.1,2,3,4,5,6,7,8
B.1,3,5,7,9,11,2,4
C.1,4,7,10,2,5,8,11
D.1,5,9,2,6,10,3,7
第7题
(A)物理存储控制;
(B)并发访问控制;
(C)完整性控制;
(D)安全性控制;
第8题
(63)
A.32×106bit/s
B.32×107bit/s
C.107bit/s
D.3200bit/s
第9题
A.3
B.4
C.5
D.6
第10题
请比较采用以下不同策略时的通信代价: (1)在R所在场地执行连接操作,利用半连接方法; (2)在S所在场地执行连接操作,利用半连接方法; (3)在R所在场地执行连接操作,不用半连接方法; (4)在S所在场地执行连接操作,不用半连接方法。 哪种情况代价最省(不考虑把结果传送到某一场地的代价)?
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