根据霍尔系数的正负，我们可以判定半导体样品的导电类型（N型或P型）。

一个锑化铟样品，室温时的空穴浓度为电子浓度的9倍，试计算霍尔系数R的数值，并指出样品的导电类型。在这个问题中，能否根据霍尔系数的正负来判断导电类型?设室温时b=μ_n/μ_p=100，n_i=1.1×10¹⁶cm^-3。

对于p型样品，证明

  

  式中R_s是饱和电离区的霍尔系数，R_ext是霍尔系数的极值。

此题为判断题(对，错)。

在霍尔效应实验中，磁感应强度为0.40T.2.5mm厚的半导体样品中通有2.0mA的电流．测得霍尔电势差为6.5mV，试求载流子的浓度并判断该样品是p型还是n型半导体．

为了判断锗的导电类型，测得它的霍尔系数为负，而塞贝克系数为正，该材料的导电类型是什么?说明理由。

长30mm，宽6mm，厚1mm的p型半导体样品，其电阻值为500Ω。把它放置于垂直样品平面的0.5T的磁场中，当通过样品的电流为10mA时，出现5mV的霍尔电压。试求半导体样品的霍尔迁移率和载流子浓度。

A.n型

B.p型

C.本征型

D.高度补偿型

根据霍尔效应测磁场时，用杂质半导体片比用金属片更为灵敏，为什么?

根据霍尔效应测磁场时，用杂质半导体片比用金属片更为灵敏，为什么?

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