第5题
A、驱动电路简单,需要的驱动功率小,开关速度快
B、耐压高,电流容量大
C、反型层形成沟道导电
D、通态电阻具有正温度系数,对器件并联时的均流有利
第6题
A、MOSFET的通态电阻具有正温度系数,对器件并联时的均流不利。
B、MOSFET的通态电阻具有负温度系数,不能并联使用。
C、MOSFET的通态电阻具有正温度系数,此特性对器件并联时的均流有利。
D、MOSFET的通态电阻具有负温度系数,对器件并联时的均流有利。
第7题
A、型号相同的MOSFET可以并联运行,而IGBT不可以并联运行。
B、型号相同的MOSFET可以并联运行,IGBT在通过电流较大时通态压降具有正温度系数,也可以并联使用。
C、型号相同的MOSFET不可以并联运行,而IGBT可以并联运行。
D、型号相同的MOSFET和IGBT都不可以并联运行。
第8题
A、器件导通时的电流由外电路决定
B、器件阻断时的阻抗很大
C、断态损耗很小,可基本忽略不计
D、通态损耗往往成为器件功率损耗的主因
E、开关损耗往往成为器件功率损耗的主因
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