下列对突触的叙述，错误的是

A、电突触以电流为传递媒介

B、电突触的结构基础是缝隙连接

C、以电突触相连接的两个细胞间关系为电紧张耦联

D、电突触呈单向传递

A. 突触后膜在某种神经递质作用下产生的局部去极化电位变化称IPSP

B. 突触后膜在某种神经递质作用下产生的局部去极化电位变化称EPSP

C. 细胞外Ca进入末梢轴浆内，触发突触囊泡的出胞

D. 突触前末梢在接受一短串高频刺激后可产生强直后增强现象

E. 突触后膜上电位改变的总趋势决定于同时产生的EPSP和IPSP的代数和

B、突触后膜有相应受体能与递质结合

C、兴奋经突触传递要耗费一定时间

D、突触传递对内环境变化不敏感

E、只有突触前膜才能释放神经递质

B.突触后膜有相应受体能与递质结合

C.Ca2+在突触传递中有重要作用

D.突触传递对内环境不敏感

E.突触传递具有易疲劳性

A、突触间距至少20-40nm

B、突触传递时间延迟较短

C、突触的两侧结构基本对称

D、无突触囊泡释放

B、突触前后膜阻抗较低

C、突触延搁较短

D、通常为单向传递

E、也称为缝隙连接

A、突触间隙大约为2nm

B、突触前后膜阻抗较低

C、突触延搁短

D、突触前动作电位是突触传递的直接因素

E、通常为单向传递

A、双向传递

B、不易疲劳

C、突触延搁

D、呈衰减性

A、突触间隙大约为2nm

B、突触前后膜阻抗较低

C、突触延搁短

D、突触前动作电位是突触传递的直接因素

E、通常为单向传递

A、突触前轴突末梢去极化

B、钙离子进入突触前膜内

C、突触后膜Na+、K+,特别是Na+通透性增高

D、突触后膜发生超极化