红外探测器工作时需要制冷的主要原因是

A、行选择器

B、列选择器

C、前置放大器

D、积分电路

E、负载电阻

A. 测辐射热计

B. 测辐射热电偶

C. 测辐射热电堆

D. 热释电探测器

E. 高莱管

此题为判断题(对，错)。

A、利用光辐射照射P-N结空间电荷区及结区两侧扩散长度范围内区域产生的电子空穴对在P-N结两端形成的电压变化。

B、在光辐射的照射下，半导体内因吸收光子产生电子空穴对使半导体的电导率发生改变的现象

C、在光辐射的照射下，半导体内因吸收光子产生电子空穴对，且产生的光电子逸出体外参与导电的现象。

D、利用光辐射照射P-N结结区两侧扩散长度范围内区域产生的电子空穴对在P-N结两端形成的电压变化。

A、在光辐射的照射下，半导体内因吸收光子产生电子空穴对使半导体的电导率发生改变的现象

B、在光辐射的照射下，半导体内因吸收光子产生电子空穴对，且产生的光电子逸出体外参与导电的现象。

C、利用光辐射照射P-N结空间电荷区及结区两侧扩散长度范围内区域产生的电子空穴对在P-N结两端形成的电压变化。

D、利用光辐射照射P-N结结区两侧扩散长度范围内区域产生的电子空穴对在P-N结两端形成的电压变化。

A.红外照相机

B.红外夜视仪

C.望远镜

D.热成像夜视仪等

A、由单一材料制成的二维红外探测器阵列

B、由金属与半导体材料接触制成的二维红外探测器阵列

C、由光敏半导体材料制成二维光敏元阵列，由硅材料制成读出处理电路，通过倒装互连方式组合集成为一个整体的二维红外探测器阵列

D、由本征硅半导体材料按照CCD或CMOS结构制成的二维探测器阵列

此题为判断题(对，错)。