简述MOS场效应管的基本组成,并简要说明N沟道增强型MOS场效应管与P沟道耗尽型MOS场效应管电路符号的特点。
第1题
已知某N沟道增强型MOS场效应管的。 下表给出了四种状态下和的值,试判断各状态下器件的工作状态。
A、状态1:饱和区;状态2:饱和区:
B、状态1:截止区;状态2:饱和区
C、状态3:变阻区;状态4:饱和区
D、状态3:饱和区;状态4:变阻区
第2题
已知某N沟道增强型MOS场效应管的。 下表给出了四种状态下和的值,试判断各状态下器件的工作状态。
A、状态1:饱和区;状态2:饱和区:
B、状态1:截止区;状态2:饱和区
C、状态3:变阻区;状态4:饱和区
D、状态3:饱和区;状态4:变阻区
第5题
A.UGS>4V,UGD<4V B.UGS>4V,UGD>4V
C.UGS<4V,UGD<4V D.UGS<4V,UGD>4V
第9题
某管特性曲线如下图所示, 则该为
A、P沟道增强型MOS场效应管
B、N沟道结型场效应管
C、N沟道耗尽型MOS场效应管
D、N沟道增强型MOS场效应管
第10题
某场效应管的特性曲线如图所示,该管为:
A、P沟道增强型MOS管
B、P沟道结型场效应管
C、N沟道增强型MOS管
D、N沟道耗尽型MOS管
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