现有三块半导体硅材料,已知在室温下(300K)它们的空穴浓度分别为,,。 (1) 分别计算这三块材料的电子浓度、、; (2) 判别这三块材料的导电类型;(3) 分别计算这三块材料的费米能级位置。
第1题
第2题
现有三块半导体硅材料,已知在室温下(300K)它们的空穴浓度分别为:p01=2.25×1016cm-3,p02=1.5×1010cm-3,p03=2.25×104cm-3。
(1)分别计算这三块材料的电子浓度n01 、n02、 n03;
(2)判别这三块材料的导电类型;
(3)分别计算这三块材料的费米能级的位置。
第3题
第5题
在一掺硼的非简并p型硅中,含有一定浓度的铟,室温下测出空穴浓度p0=1.1×1016cm-3。已知掺硼浓度NAl=1016cm-3其电离能△EA1=EA1-Ev=0.046eV,铟的电离能△EA2=EA2-Ev=0.16eV,试求这种半导体中含铟的浓度。室温下硅的Nv=1.04×1019cm-3。
第7题
由电阻率为1Ω·cm的P型锗和0.1Q·cm的n型锗半导体组成一个pn结,计算在室温(300K)时,内建电位差VD和阻挡层宽度。已知在上述电阻率下,p区的空穴迁移率μp=1650cm2/(V·s),n区电子的迁移率μn=3000cm2/(V·s),锗的本征载流子浓度ni=2.5×1013cm-3。
第8题
一块本征硅半导体,掺入五价元素砷,浓度为1014cm-3,试分别求出T=300K、500K时自由电子和空穴的热平衡浓度值,并指出相应半导体类型。
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