A.各DRAM芯片轮流刷新
B.各DRAM芯片同时刷新,片内逐位刷新
C.各DRAM 芯片同时刷新,片内逐字刷
D.各DRAM芯片同时刷新,片内逐行刷新
第4题
A、按芯片存储单元的矩阵进行刷新,每个存储单元逐一分别刷新。
B、刷新本质上是对存储单元进行数据重写,由刷新电路自动执行。
C、刷新1行的时间称为刷新周期,它由芯片矩阵的行数和最大刷新间隔决定。
D、集中刷新的缺点是容易形成内存访问的时间死区,异步刷新既可以避免访存死区,还能提高刷新操作安排的灵活性。
为了保护您的账号安全,请在“上学吧”公众号进行验证,点击“官网服务”-“账号验证”后输入验证码“”完成验证,验证成功后方可继续查看答案!