欧姆龙PLC型号CPM1A-30CDT-D是 （继电器/晶体管）输出型。

A、直流电源端

B、输入端

C、输出端

D、接口

图示晶体管中的1区和2区分别为

A、发射极，基区

B、发射极，集电区

C、基极，集电区

D、基极，基区

已知两个电路中晶体管的均为50，输入电压均为有效值等于10mV的1kHz正弦信号，估计输出电压有效值，图（a）约为____，图（b）约为_____。 A、10V， B、1V， C、100mV， D、10mV

A、AB

B、BC

C、DA

D、DB

图示电路中，已知A为理想运算放大器，晶体管VT的很大，其饱和压降，电流表的内阻可略。试填空： （1）电路中的反馈属于 负反馈组态。 （2）已知，，当时，负载电流= mA。 （3）当，时，负载电阻的最大值= kΩ。 （4）当，时，= V。

在图示电路中晶体管的，UBEQ＝0.7V，UCES＝0.5V，电容的容抗可忽略不计。 1．估算静态时的ICQ、UCEQ； 2．如果逐渐增大正弦输入电压幅度，输出电压将首先出现饱和失真还是截止失真？ 3．为了获得尽量大的不失真输出电压，Rb应调整到多大（其它参数不变）？

A、A. ICQ=1.1mA；UCEQ=9.4V；首先产生饱和失真；Rb=754k。

B、B. ICQ=2.1mA；UCEQ=4.3V；首先产生饱和失真；Rb=754k。

C、C. ICQ=1.1mA；UCEQ=9.4V；首先产生截止失真；Rb=397k。

D、D. ICQ=2.1mA；UCEQ=4.3V；首先产生截止失真；Rb=397k。

图１中所示的是MOS管类型是

A、N沟增强型

B、N沟耗尽型

C、P沟增强型

D、P沟耗尽型

已知某理想乙类功率放大电路晶体管的，则该放大电路的最大输出功率可达 。

A、1W

B、2W

C、4W

D、10W

在图示放大电路中，各晶体管的参数相同，且＝100，rbb’＝0，|UBE|=0.7V，IB3可忽略不计，电阻Rc1＝Rc2＝Rc3＝10k，Re＝9.3k，Re3＝4.3k，电源电压VCC＝VEE＝10V，试估算： 1．静态时，Uo＝？ 2．ui＝10mV时，输出信号电压uO＝？

A、Uo=6V uo=2V

B、Uo=3V uo=0V

C、Uo=0V uo=-2V

D、Uo=-3V uo=-4V

A、a=1，b=1

B、a=-1，b=1

C、a=-1，b=-1

D、a=1，b=-1

在如图所示的有源负载差分放大器中，所有晶体管的，。若VDD=5V且输入信号接近于地，当I=100μA时，计算VT1和VT2的gm、VT2和VT4的输出电阻、总输出电阻及电压增益。当I=400μA时，重新求解上述参数。