双调谐回路放大器的电压增益与晶体管的正向传输导纳成正比，与回路的电导成反比，与耦合因数有关。

试证明单调谐回路谐振放大器在谐振时的电压增益也表示为

在相同条件下，双调谐回路放大器与单调谐回路放大器相比，下列表达正确的是()

A、双调谐回路放大器的选择性优于单调谐回路放大器，通频带也较宽

B、双调谐回路放大器的选择性优于单调谐回路放大器，通频带也较窄

C、单调谐回路放大器的选择性优于双调谐回路放大器，通频带也较宽

D、单调谐回路放大器的选择性优于双调谐回路放大器，通频带也较窄

在图3．4．2(a)所示的单调谐回路放大器中，工作频率为10 MHz，晶体管参数：｜yfe｜=58．3 mS，gie=1．2 ms，Cie=12 pF，goe=400μs，Coe=9．5 pF，回路电感L=1．4μH，接入系数p1=O．9，p2=O．3，空载品质因数Q0=100。假设yre=O，求： 1)谐振时的电压增益Av0； 2)谐振回路电容C之值； 3)通频带2△f0.7； 4)若R4=10 kΩ，试比较并联R4前后的通频带和增益。

在相同条件下，双调谐回路放大器和单调谐回路放大器相比，下列表达正确的是( )。

A．双调谐回路放大器的选择性比单调谐回路放大器好，通频带也较窄

B．双调谐回路放大器的选择性比单调谐回路放大器好，通频带也较宽

C．双调谐回路放大器的选择性比单调谐回路放大器差，通频带也较窄

D．双调谐回路放大器的选择性比单调谐回路放大器差，通频带也较宽

图3．5．2表示一单调谐回路中频放大器。已知工作频率f0=10．7 MHz，回路电容C2=56 pF，回路电感L=4μH，Q0=100，L的匝数N=20，接入系数p1=p2=0．3。晶体管T1的主要参数为：fT≥250 MHz，rbb=70 Ω，Cbc≈3 pF，yie=(0．15+j1．45)mS，yoe=(0．082+j0．73)mS，yfe=(38-j4．2)mS。静态工作点电流由R1、R2、R3决定，现IE=1 mA，对应的β0=50。求： 1)单级电压增益Av0； 2)单级通频带2△f0.7； 3)四级总电压增益(Av0)4； 4)四级总通频带(2△f0.7)4； 5)如四级通频带(2△f0.7)4保持和单级时的通频带2△f0.7相同，则此时单级的通频带应加宽多少?四级的总增益下降多少?

当电荷放大器的开环增益足够大时，则电荷放大器的输出电压与传感器的______成正比。

某10.7MHz中频放大器如图所示的两级相同的LC选频放大器组成，若已知每级放大器的电压增益A_V=10，回路有载Q_e=20，两级回路中心频率均调谐在f₀=10.7MHz上。

  

单调谐放大器的矩形系数(  )。

  A．与谐振回路Q_e值有关  B．与谐振回路的f₀有关

  C．近似等于10 D．等于1

在图3．5．1中，晶体管的直流工作点是VCE=8 V，IE=2 mA，工作频率f0=10．7 MHz；调谐回路采用中频变压器L1～3=4μH，Q0=100，其抽头为N2～3=5匝，N1～3=20匝，N4～3=5匝。试计算放大器的下列各值：电压增益、功率增益、通频带、回路插入损耗和稳定系数S(设放大器和前级匹配gs=gie)。晶体管在VCE=8 V，IE=2 mA时参数如下： gie=2 860μS； Cie=18 pF goe=200μS； Coe=7 pF ｜Yfe｜=45 mS； ψfe=-54° ｜Yre｜=0．31 mS；ψre=-88．5°

单调谐放大器如下图(a)所示。中心频率f₀=30MHz，晶体管工作点电流I_EQ=2mA，回路电感L₁₃=1.4μH，Q=100，匝数比n₁=N₁₃/N₁₂=2，n₂=N₁₃/N₄₅=3.5，G_L=1.2mS，G_oe=0.4mS，r'_bb≈0，试求该放大器的谐振电压增益及通频带。