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耗尽型绝缘栅场效应管初始时存在导电沟道。

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第1题

增强型绝缘栅场效应管只有加一定的负栅压,才能形成导电沟道而导通。()

此题为判断题(对,错)。

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第2题

绝缘栅场效应管组成图1-15(a)所示,图1-15(b)为其输出特性曲线。试问:

  (1) 图1-15(a)中VT管为哪种导电沟道的场效应管?

  (2) 要使电路正常工作,VT管应为何种类型的场效应管?

  (3) 在图1-15(b)所示曲线和参数条件下,电路能否正常工作?此时VT管处在何种工作状态?

  (4) 若将图1-15(a)中VT管改为同样沟道的另一种类型管,电路应作何改动才能正常工作?

  

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第3题

增强型场效应管当栅源电压为零时,存在导电沟道。
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第4题

绝缘栅场效应晶体管根据结构不同分为()

A. P沟道增强型效应晶体管和N沟道结型场效应晶体管

B. B.增强型绝缘栅场效应晶体管和耗尽型绝缘栅场效应晶体管

C. C.N沟道结型场效应晶体管和P沟道增强型场效应晶体管

D. D.N沟道结型场效应晶体管和P沟道绝缘栅型场效应晶体管

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第5题

简述绝缘栅N沟道增强型场效应管的工作原理。
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第6题

对于MOSFET,根据栅源电压为0时是否存在导电沟道,可分为 场效应管和 场效应管。

A、MOS;结型

B、增强型;结型

C、增加型;耗尽型

D、耗尽型;结型

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第7题

开启电压是增强型场效应管产生导电沟道所需的栅源电压。
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第8题

当UGS=0时,漏源之间存在导电沟道的称为______型场效应管,漏源之间不存在导电沟道的称为______型场效应管。
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第9题

绝缘层摻入了正离子的场效应管为 沟道耗尽型场效应管。
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第10题

下列场效应管中,无原始导电沟道的是 。

A、N-JFET

B、P-EMOS

C、N-DMOS

D、P-DMOS

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