基于共基组态电感三端式振荡器的变容二极管直接调频电路如图所示，以下说法正确的是（）。

A、变容二极管上的直流反偏电压UQ由电阻R1和R2对电压源电压UCC分压获得

B、电容C1取值较大，对低频的调制信号uW短路

C、电容C2取值可以和C1接近

D、该电路是全部接入式设计

三端式振荡器如图所示，该电路的名称为（　）。

A、共基组态电容三端式振荡器

B、共基组态电感三端式振荡器

C、共射组态电容三端式振荡器

D、共射组态电感三端式振荡器

变容二极管直接调频振荡器的LC回路如图所示，其中C_c为高频旁路电容，且对音频阻抗很大，RFC为高频扼流圈。已知电压-V_Q=-4V，变容二极管，v_Ω(t)=2cos2π×10³t(V)，L=0.5μH。要求：

晶体振荡器直接调频电路如图P6.13所示，试画交流通路，说明电路的调频工作原理。

如题图(a)和(b)所示为利用变容管的直接调频晶体振荡器。

  

  (1)画出振荡器的高频等效电路。

  (2)说明电感L₁、L₂、L₃、L₄的作用。

某一变容二极管调频电路的振荡器指标为：频率f0=50 MHz，振幅为5 V，回路总电容C=30 pF。选用变容二极管2 CC1，它的静态直流工作电压V0=4 V，静态点的电容C0=75 pF。设接入系数p=0．2，要求最大频移为△f1=75 kHz，调制灵敏度VΩs≤500 mV。试估算中心频率偏移与非线性失真。

晶体振荡器直接调频电路如图题7.22所示，试画出振荡部分交流通路，分析电路的工作原理，同时指出电路中各主要元件的作用。

 

A.串联型改进电容三端式振荡器

B.并联型改进电容三端式振荡器

C.晶体振荡器电路

为了增加调频波的相对频偏，常采用如图所示的双振荡器直接调频电路。图中，已知振荡管Q₁的中心频率为f_c1=370.7MHz，振荡器Q₂的中心频率f_c2=360MHz，电容C₅～C₁₀为隔直流电容，RFC为高频扼流圈，两只变容管的特性相同，n=3，V_B=0.65V，在反偏V_Q=6V时的C_jQ=20pF，调制电压为v_Ω(t)=2cosΩtV。C₁=C₃=1pF，C₂=C₄=0.5pF，滤波器的中心频率为10.7MHz。要求：

  

A、正偏；

B、反偏；

C、零偏；

D、正反偏都可以。