CMOS反相器可以悬空（）

A、A或B中有一个接“1”

B、A或B中有一个接“0”

C、A或B中有一个悬空

D、不能实现

A、TTL与非门

B、CMOS反相器

C、NMOS同或门

D、CMOS异或门

E、PMOS与门

A、CMOS OD门输出端允许直接并联使用

B、CMOS门电路输入端悬空时相当于接‘1’电平

C、CMOS反相器输出端允许直接并联使用

D、CMOS三态门输出端有可能出现高电平、低电平和不定态三种状态

【判断题】通过提高电源电压,可以提高CMOS反相器的噪声容限。

【判断题】CMOS反相器的转折电压为。

简述由CMOS反相器构成的SRAM的读写/工作原理。

A、减小扩散电容和互连线的电容

B、适当增加晶体管的W/L

C、适当增大VDD

D、增大输入电压Vin

如果CMOS反相器的电源电压是，则反相器的门槛电压为（ ）。（ 1.1/2VDD 2.1/3VDD 请填写序号）

如果CMOS反相器的电源电压是，则反相器的门槛电压为（ ）。（ 1.1/3VDD 2.1/2VDD 请填写序号）

由CMOS反相器构成的施密特触发器如下图所示，已知反相器的供电电压，，CMOS反相器的阈值电压。试分析电路的阈值电压，。

A、3.75V，1.25V

B、1.25V，3.75V

C、7.5V，-2.5V

D、-2.5V，7.5V