A.超净
B.高精度
C.低精度
D.超纯
第1题
A、MOS器件源漏精确掺杂
B、形成浅结
C、调节MOS器件阈值电压
D、形成互连
第2题
A、干氧氧化
B、湿氧氧化
C、离子氧化
D、水蒸汽氧化
第3题
A、热氧化
B、CVD
C、PVD
D、热扩散
第4题
A、温度
B、厚度
C、硅晶向
D、掺杂
第5题
A、元器件的组成部分(如栅氧化层)
B、源漏极
C、互连层间绝缘介质
D、作为掩蔽膜
第6题
A、输出总是由布尔函数决定
B、输出状态可以记忆
C、稳态输出,但只与输入的当前值有关
D、输出不反馈到输入
第7题
A、A、特征尺寸
B、器件数量
C、互连线长度
D、互连线层数
第8题
A、银;
B、铜;
C、金;
D、铝;
第9题
A、几何设计规则是版图图形编辑的依据
B、几何设计规则是设计系统生成版图的依据
C、几何设计规则是分析计算的依据
D、几何设计规则是检查版图错误的依据
第10题
A、扩散
B、刻蚀
C、光刻
D、蒸发
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