以下关于MOS管跨导的说法中，错误的是（）。

A、MOS管是电压控制型器件，导电时电子和空穴同时参与导电

B、MOS管是电流控制型器件，导电时电子和空穴同时参与导电

C、MOS管是电压控制型器件，导电时只有一种载流子参与导电

D、MOS管是电流控制型器件，导电时只有一种载流子参与导电

A、MOS管是电流控制型器件

B、MOS管工作时电子和空穴都参与导电

C、温度上升会使导电因子变大

D、衬底偏置效应会导致阈值电压变大

A、PMOS管：高电平输入导通，低电平输入截止

B、NMOS管：高电平输入导通，低电平输入截止

C、PMOS管：高电平输入截止，低电平输入导通

D、NMOS管：高电平输入截止，低电平输入导通

E、NMOS和PMOS管，都是高电平输入导通，低电平输入截止

F、NMOS和PMOS管，都是高电平输入截止，低电平输入导通

A、最高振荡频率>特征频率

B、理论计算MOS管最高振荡频率时，需去除电容和漏极输出电阻的影响

C、最高振荡频率与器件跨导成正比

D、最高振荡频率与器件栅氧层厚度成反比

A、不考虑Si-SiO2界面的结构

B、不考虑金属和半导体之间的功函数之差

C、金属和半导体之间不会通过SiO2层交换电子

D、都正确

A、半导体表面反型时，空间电荷区宽度达到最大值

B、空间电荷区宽度最大时，强反型区的电子或空穴会屏蔽表面电场

C、空间电荷区宽度达到最大值后，表面势的变化不会引起空间电荷区宽度的变化

D、对于n型，外加电压VG>0并逐渐增大时，空间电荷区宽度逐渐增大直至达到最大值

工作在恒流状态下的MOS场效应管，关于其跨导，下列说法正确的是 。

A、与成正比

B、与成正比

C、与成正比

D、与成正比

A、NMOS漏极接VDD，源极加一个负载电阻，即构成一个倒相器

B、当VGS=0，NMOS倒相器处于截止状态，VDS接近VDD

C、当NMOS管导通时，输出电压VD下降

D、管子工作于截止与导通两个状态，故倒相器起了开关的作用

A、MOS电容是固定电容

B、MOS电容就是MOS栅氧化层电容

C、MOS电容在高频和低频时的特性是不一样的

D、随着栅电压增加，MOS电容会减小

A、此时满足条件VDS>VGS-VTH

B、沟道夹断点从源端向漏端移动

C、沟道夹断点电压为VGS-VTH

D、沟道夹断区为耗尽区