A、插入突变可能会干扰基因表达或者让表达产物失去原有功能,从而实现突变;但也有可能会插入非基因区域,从而没有突变表型出现。
B、图中,F1代左边的品系是嵌合体,即体内有些细胞在转座酶的作用下,P因子插入的基因区域将被不精确的剪切。F2左侧的品系需要选白眼单个雄性个体,因为红眼的标记基因miniwhite随P因子被剪切掉;每个精子被剪切的位置和大小不同,产生的雄性个体也不相同,需要通过遗传杂交分别获得后代。
C、P因子由于转座酶的不精确剪切,发生一定概率大片段删除,导致纯合致死,所以在F4代有可能只有杂合子个体存活。
D、P因子会完全随机地插入基因组的任何一个位置。所以只要数量足够多,就可以获得基因组中任意基因的插入突变体。
第1题
A.评价外来化合物蓄积毒性的试验
B.检测化学物致突变作用的试验
C.检测化学物对生殖过程的损害的试验
D.检测外源化学物最大未观察到有害作用剂量的试验
E.检测化学物毒性强度分级的试验
第2题
实验目的
通过对典型光伏器件——硅光电池、硅光电二极管和光电三极管的特性参数的测量,使同学们进一步理解硅光伏器件的原理、特性及其基本使用方法。
实验内容
(1)作出光电池的VLS、ILS及P随RL变化的曲线,找出其最佳负载电阻。
(2)画出典型光伏器件——硅光电池、硅光电二极管和光电三极管的输出特性曲线。
(3)画出硅光电池、硅光电二极管和光电三极管的光照特性曲线。
实验原理
半导体光伏检测器件的核心是PN结的光电效应,PN结光电池与光电二极管是最简单的半导体光电检测器件。
下图(a)所示是一个未加电压的PN结,它是一个由不可移动的带正、负电荷的离子组成的耗尽层,或称作势垒区。当以适当波长的光照射PN结时,P型和N型半导体材料将吸收光能。如果光子能量hf≥Eg时,则光子将被吸收,使价带中的电子受激跃迁到导带中,而在价带中留下空穴,如图(b)所示。这一过程称为光吸收。因光照射而在导带和价带中产生的电子和空穴称为光生载流子。
产生在耗尽层的光生载流子在内建场的作用下作漂移运动:空穴向P区方向运动;电子向N区方向运动,它们在PN结的边缘被收集。另外,耗尽层外的光生少数载流子会发生扩散运动:P区中的光生电子向N区扩散;N区中的光生空穴向P区扩散。在扩散的同时,一部分光生少数载流子将被多数载流子复合掉。由于这些区域的电场很小,甚至可以称为无场区,光生少数载流子在这些区域扩散速率较慢,只有小部分能扩散到耗尽层,继而在内建场的作用下分别快速漂移到对方区域。这样,在P区就出现了过剩空穴的积累,N区出现了过剩电子的积累,于是在耗尽层的两侧就产生了一个极性如图(c)所示的光生电动势。这一现象称为光生伏特效应。产生于耗尽层的电子和空穴也要产生光生伏特效应。基于这一效应,如果将PN结的外电路构成回路,则外电路中会出现信号电流。这种由光照射激发的电流称为光电流。
当光电池两端接某一负载RL时,设流过RL的电流为ILS,其上的电压降为ULS,则RL上产生的电功率为
PL=ULS·ILS
PL与入射光功率之比称为光电池的转换效率η。下图表示输出电压ULS、输出电流ILS、输出功率PLS随负载RL变化关系的曲线。
从图看出,ULS随RL加大而升高。当RL为∞时,ULS等于开路电压Uoc;RL为低阻时,ILS趋近于短路电流Isc,当RL=0时,ILS=Isc。随着RL变化,输出功率PL也变化,当RL=RM时,PL为最大值PM,即在负载电阻上获得最大功率输出,此时的负载电阻RM称为最佳负载电阻。在把光电池作为换能器件时,应按此点考虑。但值得注意的是,即使对同一光电池,如照度不同,RM也会不同。
此外,从下图光电池的伏安特性曲线上,也可表示出输出功率的大小。RL负载线就是过原点斜率为的直线,该直线与特性曲线交于PL点,PL点在I轴和U轴上投影为输出电流IL和输出电压UL,输出功率PL等于矩形OILPLUL的面积。若过Uoc和Isc作特性曲线的切线,它们相交于PQ点,连结PQ点和原点O的直线也就是最佳负载线,最佳负载电阻为RM。该直线与特性曲线交于PM,最大输出功率PM等于矩形OIMPMUM面积,此时流过负载RM上的电流为IM,RM上的压降为UM。
因此,光电池的输出特性曲线,是指在一定光照下与它所连接的负载RL两端的电压UL和通过RL的电流IL的关系曲线。当光电池输出端开路时测得两端输出电压为开路电压Uoc;当输出端短路时通过的电流为短路电流Isc。
光电二极管的输出特性曲线是指对应于不同的照度下,UL与IL的变化关系曲线。
光电三极管的输出特性曲线是指对应于不同的照度下,Uce与Ic的变化关系曲线。
在不同的入射光照度下,光电二极管和光电三极管的光电流。以及光电池的开路电压和短路电流均将随之变化。
实验使用的仪器和器材
(1)照度计 一台
(2)钨丝灯光源 一座
(3)直流稳压电源 一台
(4)万用表或数字电压表一台
(5)微安表 一个
(6)标准光源箱
(7)标准电阻箱
(8)硅光电池(2CR型)、硅光电二极管(2CU型)、硅光电三极管(3DU型)各一个。
(9)电阻100Ω、510Ω、3kΩ各一支。
实验线路
硅光器件的最基本的使用线路如下图所示。
在不同的入射光照度下,光电二极管和光电三极管的光电流。以及光电池的开路电压和短路电流均将随之变化。
第3题
A.评价外来化合物蓄积毒性的试验
B.检测化学物致突变作用的试验
C.检测化学物对生殖过程的损害的试验
D.检测外源化学物最大未观察到有害作用剂量的试验
E.检测化学物毒性强度分级的试验
第4题
A、检测内部网络中出现的内部用户未通过准许私自联到外部网络的行为
B、对非授权设备私自联到网络的行为进行检查,并准确定出位置,对其进行有效阻断
C、对内部网络中用户访问互联网的行为进行记录
D、对内部网络用户私自联到外部网络的行为进行检测后准确定出位置,并对其进行有效阻断
第5题
A.基于异常检测的入侵检测系统在检测时,将系统检测到的行为与预定义的正常行为比较,得出是否有被攻击的迹象
B.由于正常行为模型相对固定,所以异常检测模式对网络环境的适应性不强,误报的情况比较多
C.异常检测模式的核心是维护一个入侵模式库
D.异常检测模式则无法准确判别出攻击的手法,但它可以判别更广泛、甚至未发觉的攻击。
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